[实用新型]一种光伏电池封装用整体化胶膜背板有效
申请号: | 201621392789.0 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN206401338U | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 沙锐;杨继明;姚元毅;季明龙 | 申请(专利权)人: | 中天光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;B32B27/36;B32B7/12;B32B27/08;B32B27/18;B32B27/32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 封装 整体 胶膜 背板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光伏组件的背板,具体涉及一种光伏电池封装用整体化胶膜背板。
背景技术
未来几年光伏市场预期增长态势良好,国内市场依旧乐观。据欧洲光伏产业协会(EPIA)预测,截止2020年,中国国内市场总装机量将达到130381MW,未来五年新增装机量达到87000MW。在整个光伏市场保持良好发展趋势的背景下,国务院办公室最新印发的能源发展战略行动计划明确指出到2020年,光伏发电与电网销售电价相当。因此,在整个光伏市场保持高增长态势的同时,光伏发电度点成本则呈现出完全相反的趋势。2016年国家发改委发布《关于完善陆上风电光伏发电上网标杆电价的通知》明确提出,自2016年6月30号后开始并网的一类、二类资源区分别降低10分钱、7分钱,三类资源区降低2分钱。这一举措使得整个光伏市场逐渐进入价格的调整窗口期,同时整体价格将长时间保持整体下降的趋势。因此,努力实现综合成本下降,实现产业技术升级将是未来整个行业的发展方向。
POE(聚烯烃弹性体)胶膜是乙烯和丁烯或辛烯的共聚物,分子链为饱和脂肪链结构,具有良好的耐候性、耐紫外老化性能以及优异的耐热、耐低温性能。同时,POE胶膜的使用避免了EVA胶膜在光热老化降解过程中产生醋酸腐蚀组件电极的问题,几乎杜绝了组件潜在诱导衰减(PID)现象发生。通常,组件由背板、EVA胶膜以及电池片通过层压机在适当的温度、压力以及真空度下进行层压制备而成。为了减少组件生产过程中铺设下层封装胶膜的工序,提高生产效率,背板厂家开始寻求将组件下层胶膜融入到背板的整体化结构设计中。POE胶膜由于分子链缺少极性基团,所以POE胶膜与聚酯基层之间的界面粘结性能较差,同时POE胶膜相对于EVA胶膜会增加光伏组件价格3%的额外费用。
实用新型内容
为解决上述背景中的问题,本实用新型提供一种低成本,整体化,且内层与电池片可靠粘接的光伏电池封装用整体化胶膜背板。为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案如下 :一种光伏电池封装用整体化胶膜背板,从上至下依次为耐候外层,聚酯基层以及与电池片接触的胶膜层,所述耐候外层与聚酯基层之间通过粘接层粘接,所述聚酯基层与胶膜层之间通过粘接层粘接,所述胶膜层为AB双层结构共挤出聚烯烃类胶膜层,厚度为0.2~1mm,其中A层为聚烯烃薄膜,其厚度为胶膜层厚度的5~20%,B层为POE胶膜,其厚度为胶膜层厚度的80~95%。
所述聚烯烃薄膜主体成分包括聚烯烃基体以及无机添加物,所述聚烯烃基体为聚乙烯、聚丙烯、茂金属催化聚乙烯、茂金属催化聚丙烯、聚乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚乙烯-辛烯弹性体中的一种或多种的组合;所述无机添加物为蒙脱土、云母、滑石粉、钛白粉中的一种或多种的组合。
所述聚酯基层为光伏级聚酯材料,其厚度为0.01~3.0mm。
所述耐候外层为聚偏氟乙烯膜层、聚氟乙烯膜层、改性高耐候聚酯层、醚型FEVE共聚氟碳涂层中的一种,其厚度为0.001~0.3mm。
所述聚酯基层优选湿热老化时间大于60h,断裂伸长率保持率>10%,紫外老化累计辐照大于200kWh/m2,断裂伸长率保持率>10%,黄变指数△b<1的聚酯薄膜。
有益效果:本实用新型所揭示的一种光伏电池封装用整体化胶膜背板,其有益效果为:
将与电池片接触的胶膜层采用AB双层结构共挤出聚烯烃胶膜,能够使得组件在层压过程中无需在电池片背侧另外添加传统胶膜层,提高了组件生产效率,降低了组件辅材成本。
采用聚烯烃薄膜和POE胶膜共挤设计,一方面通过对聚烯烃薄膜进行表面电晕以及聚烯烃薄膜无机改性颗粒本身表面丰富的活性基团可提高与胶黏剂的粘结性,避免POE胶膜层与聚氨酯胶层之间界面粘结性能较差的问题,另一方面在保障背板层间粘结力的基础上大大降低生产成本,提高生产效率,同时POE胶膜的使用提供给组件相比于EVA胶膜优化的低水汽透过率和高体积电阻率,保证了组件在高温高湿环境下运行的安全性及长久的耐老化性,使组件能够长效使用。
耐候层选用聚偏氟乙烯膜层、聚氟乙烯膜层、改性高耐候聚酯层或醚型FEVE共聚氟碳涂层,使其具有良好的耐紫外性及耐候性,在辐照300KWH后黄变指数△b<1,双85(85℃,85%)湿热老化3000h后黄变指数△b<1。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型的附图,对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的