[实用新型]一种太阳能电池片有效
申请号: | 201621392871.3 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206225373U | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 许佳平;金井升;金浩;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/042 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏设备制造技术领域,更具体地说,涉及一种太阳能电池片。
背景技术
随着光伏产业的发展进步,出于对太阳电池高转换效率以及组件高输出功率的追求,越来越多的高效电池技术被应用到晶体硅太阳电池的商业化量产中。其中重要的一种高效电池技术是RIE反应离子刻蚀干法黑硅刻蚀技术,通过等离子体化的反应气体在硅片的正面刻蚀出亚微米级的绒面结构,该绒面由一系列密排的微小丘陵构成,微小丘陵的底宽尺寸在100nm左右,高度在200nm左右,使得其正面反射率远低于常规的湿法制绒技术,将其反射率从湿法制绒的21%降低到5%以下,大大增加了电池的短路电流。但丝网印刷工艺中正面电极细栅线的原料是银浆料,该浆料所含的银颗粒以及玻璃体颗粒的尺寸在20nm左右,银浆料的颗粒接近黑硅绒面的尺寸,而黑硅电池具有更为精细的绒面结构,就使得正面电极丝网印刷过程中细栅线不容易附着在黑硅电池表面,导致局部虚印或者数量较多的小断栅出现,印刷细栅线的宽度越小,这种问题就越明显。
基于上述问题,现有的黑硅电池制造过程中,会增大电池正面电极细栅线的宽度,来增加细栅线和绒面之间的附着力,以改善断栅、虚印的问题,然而增加细栅线的宽度,必然会增加黑硅电池正面的遮光面积,降低电池的转换效率,同时也会增加银浆的使用量,增加黑硅电池的成本。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种太阳能电池片,能够增大正面电极细栅与绒面之间的附着力,改善断栅和虚印的问题,提高电池的转换效率。
本实用新型提供的一种太阳能电池片,在电池片的表面与正面电极细栅对应的位置设置有酸制绒多晶绒面区域,用于印刷所述正面电极细栅,在所述正面电极细栅对应的位置以外的位置设置有黑硅绒面区域。
优选的,在上述太阳能电池片中,所述酸制绒多晶绒面区域的表面分布有虫卵型凹坑。
优选的,在上述太阳能电池片中,所述黑硅绒面区域的表面分布有密排的丘陵状凸起。
优选的,在上述太阳能电池片中,所述酸制绒多晶绒面区域的宽度范围为80微米至250微米。
优选的,在上述太阳能电池片中,所述酸制绒多晶绒面区域的长度范围为153.6毫米至154.5毫米。
优选的,在上述太阳能电池片中,所述丘陵状凸起的底部宽度范围为80纳米至150纳米,高度范围为150纳米至250纳米。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的一种太阳能电池片,由于在电池片的表面与正面电极细栅对应的位置设置有酸制绒多晶绒面区域,用于印刷所述正面电极细栅,在所述正面电极细栅对应的位置以外的位置设置有黑硅绒面区域,因此能够增大正面电极细栅与绒面之间的附着力,改善断栅和虚印的问题,提高电池的转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的第一种太阳能电池片的示意图。
具体实施方式
本实用新型的核心思想在于提供一种太阳能电池片,能够增大正面电极细栅与绒面之间的附着力,改善断栅和虚印的问题,提高电池的转换效率。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本申请实施例提供的第一种太阳能电池片如图1所示,图1为本申请实施例提供的第一种太阳能电池片的示意图,在电池片的表面与正面电极细栅对应的位置设置有酸制绒多晶绒面区域1,用于印刷所述正面电极细栅,在所述正面电极细栅对应的位置以外的位置设置有黑硅绒面区域2。
需要说明的是,可以先利用湿法酸制绒工艺在硅片上表面制作出该酸制绒多晶绒面区域1,再在其上部与正面电极细栅对应的部位制作一层保护层,然后对硅片表面进行干法刻蚀,在所述正面电极细栅对应的位置以外的位置得到黑硅绒面区域2,然后去除保护层,就得到上述结构。后续流程中,丝网印刷正面电极时,细栅线落在普通的酸制绒多晶绒面上,解决了附着力低下的问题,避免了正面电极细栅线宽度降低带来的断栅和虚印的问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的