[实用新型]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，具有图像像素阵列，其特征在于，所述图像传感器包括：

第一集成电路管芯；

与所述第一集成电路管芯堆叠的第二集成电路管芯；

图像传感器像素，所述图像传感器像素具有位于所述第一集成电路管芯中的第一浮动扩散区和位于所述第二集成电路管芯中的第二浮动扩散区；以及

耦接结构，所述耦接结构将位于所述第一集成电路管芯中的所述第一浮动扩散区电耦接到位于所述第二集成电路管芯中的所述第二浮动扩散区。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述耦接结构包括所述第一集成电路管芯中的第一导电垫和所述第二集成电路管芯中的第二导电垫。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

屏蔽结构，所述屏蔽结构至少部分围绕所述耦接结构并且电屏蔽所述耦接结构，其中所述屏蔽结构包括金属。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述屏蔽结构完全围绕所述耦接结构。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括附加的图像传感器像素，所述附加的图像传感器像素具有位于所述第一集成电路管芯中的第三浮动扩散区和位于所述第二集成电路管芯中的第四浮动扩散区。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括附加的耦接结构，所述附加的耦接结构将位于所述第一集成电路管芯中的所述第三浮动扩散区电耦接到位于所述第二集成电路管芯中的所述第四浮动扩散区。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

至少部分围绕所述耦接结构的屏蔽结构，其中所述屏蔽结构插置在所述耦接结构与所述附加的耦接结构之间，以减少所述耦接结构与所述附加的耦接结构之间的寄生电容耦合。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器像素包括位于所述第一集成电路管芯中的光电二极管和位于所述第二集成电路管芯中的源极跟随器晶体管。

9.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

第一集成电路管芯；

与所述第一集成电路管芯堆叠的第二集成电路管芯；

第一图像像素，所述第一图像像素包括位于所述第一集成电路管芯中的第一光电二极管和位于所述第二集成电路管芯中的第一行选择晶体管；

第二图像像素，所述第二图像像素包括位于所述第一集成电路管芯中的第二光电二极管和位于所述第二集成电路管芯中的第二行选择晶体管；

第一导电垫，所述第一导电垫将位于所述第一集成电路管芯中的所述第一光电二极管电耦接到位于所述第二集成电路管芯中的所述第一行选择晶体管；

第二导电垫，所述第二导电垫将位于所述第一集成电路管芯中的所述第二光电二极管电耦接到位于所述第二集成电路管芯中的所述第二行选择晶体管；以及

屏蔽结构，所述屏蔽结构插置在所述第一导电垫与所述第二导电垫之间。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述屏蔽结构包括至少部分围绕所述第一导电垫和所述第二导电垫的金属结构。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述金属结构耦接到接地电压和电源电压中的一者。

12.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述第一图像像素包括位于所述第一集成电路管芯中的第一浮动扩散节点和位于所述第二集成电路管芯中的第二浮动扩散节点，并且其中所述第一导电垫电耦接在所述第一浮动扩散节点与所述第二浮动扩散节点之间。

13.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述第一图像像素包括位于所述第一集成电路管芯中的浮动扩散节点和位于所述第二集成电路管芯中的源极跟随器晶体管，并且其中所述第一导电垫电耦接在所述浮动扩散节点与所述源极跟随器晶体管之间。

14.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：

位于所述第一集成电路管芯中的三个附加的光电二极管，其中所述第一导电垫将所述三个附加的光电二极管电耦接到所述第一行选择晶体管。