[实用新型]一种用于可燃气体探测器的负反馈信号处理电路有效
申请号: | 201621394762.5 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN206431086U | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 任春红;王婷;李敬波;高伟峰;李东明;路旭阳 | 申请(专利权)人: | 河南汉威智慧安全科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/04 | 分类号: | G01N27/04;G01N27/12 |
代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司41128 | 代理人: | 黄军委 |
地址: | 450001 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 可燃气体探测器 负反馈 信号 处理 电路 | ||
技术领域
本实用新型属于气体检测领域,涉及一种气体信号处理电路,尤其是涉及一种用于可燃气体探测器的负反馈信号处理电路。
背景技术
能源的生产、加工、储存、运输及使用已经渗透到工业生产的方方面面,煤炭及金属的开采,井下可燃气体的监测及通风控制必不可少;液化石油气、油制气的开采、加工、存储、运输每一个环节都必须时刻监测可燃气体的浓度并在浓度超过设定值时进行报警;酒精生产的各环节也离不开可燃气体的监测。
可燃气体可靠监测技术已成为工业安全生产的重要一环。对于可燃气体的监测,国内外很多专家学者提出了不同的处理方法,包括提高精度、降低功耗、使用高精度处理芯片等方案,但成本较高,很难在工业安全生产可燃气体监测领域大范围推广及应用。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种用于可燃气体探测器的负反馈信号处理电路,具有电路简单、抗干扰性强、元器件少、成本低、稳定可靠的优点。
为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种用于可燃气体探测器的负反馈信号处理电路,包括可燃气体采集电路、气体信号放大电路、参考电压调零处理电路和负反馈差分放大电路;
所述可燃气体采集电路用于检测并输出可燃气体浓度电信号Vi给所述气体信号放大电路,所述可燃气体浓度电信号Vi经所述气体信号放大电路放大处理后生成可燃气体浓度电信号Vo1,并传送给所述负反馈差分放大电路;
所述参考电压调零电路包括参考电压生成电路和参考电压放大电路,所述参考电压生成电路生成参考电压信号Vri,经所述参考电压放大电路放大处理后输出零点参考电压信号Vro至所述负反馈差分放大电路;
所述可燃气体浓度电信号Vo1和所述零点参考电压信号Vro经所述负反馈差分放大电路,输出本负反馈信号处理电路的处理结果可燃气体浓度电信号Vo。
基于上述,所述可燃气体浓度电信号Vo1和所述零点参考电压信号Vro为共模信号。
基于上述,所述参考电压调零处理电路包括参考电压生成电路和参考电压放大电路,所述参考电压生成电路包括可调电位器R1、电阻R2和电阻R3,所述电源依次经过所述电阻R2、所述可调电位器R1和所述电阻R3后连接电源地,所述可调电位器R1的中间抽头与所述电阻R3连接并输出参考电压信号Vri。
基于上述,所述参考电压放大电路包括集成芯片N1C和电阻R4,所述集成芯片N1C的正输入端连接所述参考电压信号Vri,所述集成芯片N1C的负输入端通过所述电阻R4连接所述集成芯片N1C的输出端,所述集成芯片N1C的输出端输出零点参考电压信号Vro。
基于上述,所述可燃气体采集电路包括可燃气体探测器QMJ,所述可燃气体探测器QMJ的电源端连接电源Vc,所述可燃气体探测器QMJ的输出端3和输出端3连接后输出可燃气体浓度电信号Vi,所述可燃气体探测器的地端连接电源地GND。
基于上述,所述气体信号放大电路包括电阻R7、电阻R5、可调电位器R6和集成芯片N1B,所述可燃气体浓度电信号Vi连接所述集成芯片N1B的正输入端,所述集成芯片N1B的负输入端通过所述电阻R7连接所述可调电位器R6的一端,所述可调电位器R6的中间抽头和所述可调电位器R6的另一端连接后接至所述集成芯片N1C的负输入端;所述集成芯片N1B的负输入端还通过所述电阻R5连接所述集成芯片N1B的输出端,所述集成芯片N1B的输出端输出可燃气体浓度电信号Vo1。
基于上述,所述负反馈差分放大电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、集成芯片N1D和电容C9;所述可燃气体浓度电信号Vo1通过所述电阻R9和所述电阻R10连接电源地GND,所述电阻R9和所述电阻R10的中间连接部分还与所述集成芯片N1D的正输入端连接;所述零点参考电压信号Vro通过所述电阻R8连接所述集成芯片N1D的负输入端,所述集成芯片N1D的负输入端还通过所述电阻R11连接所述集成芯片N1D的输出端,所述集成芯片N1D的输出端输出可燃气体浓度电信号Vo。
基于上述,所述集成芯片N1B、N1C、N1D为LM324芯片,所述电容C9为铝电解电容。
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