[实用新型]氮化镓半导体器件

权利要求书

1.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层、氮化镓铝层以及电极层；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述非掺杂氮化镓层和所述碳掺杂氮化镓层的总层数≥10层，所述非掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm，所述碳掺杂氮化镓层的厚度为1nm-500nm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述高阻抗层的厚度为100nm-5μm。

4.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述非有意掺杂氮化镓层包含多层的应变控制层和多层的掩蔽层，所述应变控制层的层数≥0；所述掩蔽层的层数≥0。

5.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述缓冲层的材质为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝。

6.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述通道层为非有意掺杂氮化镓层。

7.根据权利要求1或2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述基板的材质为蓝宝石、氮化镓或硅。