[实用新型]硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器

权利要求书

1.硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器的新型结构，该新型结构包括由四个形状为扇形的PIN光电二极管组成扇形象限组、圆形光电二极管，环形二极管组成以及象限间防电学和光学串扰的trench多晶槽结构，其特征是，所述扇形象限组成的四象限组PIN，形状为扇形且面积相等；象限组中心位置为圆形雪崩光电二极管APD；圆形雪崩光电二极管APD与扇形四象限PIN同心设置在一起构成圆形的光敏面。

2.根据权利要求1所述的硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器，其特征在于，圆形雪崩光电二极管APD与扇形四象限内弧等距对正设置。

3.根据权利要求1所述的硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器，其特征在于，弧形四象限组、圆形雪崩光电二极管APD输出端与连接放大电路一一对应。

4.根据权利要求1所述的硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器，其特征是弧形四象限组之间采用trench多晶槽结构，圆形雪崩光电二极管APD与弧形四象限之间采用扩散二极管隔离区实现象限间光电低串扰。