[实用新型]一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器

权利要求书

1.一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括：基底晶片(5)、铌酸锂薄膜(6)、光学波导(2)、调制电极(4)、直流偏压电极(7)，所述基底晶片(5)为石英晶片；所述铌酸锂薄膜(6)具有单晶结构，晶体切向为X切Y传；所述光学波导(2)为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极(4)为推挽型行波式电极结构；所述直流偏压电极(7)为推挽型集总式电极结构。

2.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述基底晶片(5)的厚度为0.1mm至2mm，采用具有低介电常数的材料。

3.根据权利要求2所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述具有低介电常数的材料为石英晶片或硅基二氧化硅晶片。

4.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜(6)的厚度为1μm至20μm。

5.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述光学波导(2)的波导扩散宽度为1μm至10μm，扩散深度为1μm至10μm。

6.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述调制电极(4)由一根信号电极(4-1)与两根地电极(4-2)组成，其中信号电极(4-1)置于光学波导(2)的中间，两根地电极(4-2)分置于光学波导(2)的左侧和右侧。

7.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述调制电极(4)的厚度为1μm至30μm，信号电极(4-1)的宽度为10μm至100μm，地电极(4-2)与信号电极(4-1)的边缘之间的间距为10μm至30μm。

8.根据权利要求1所述的一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，其特征在于，所述直流偏压电极(7)的厚度为0.1μm至30μm。