[实用新型]一种板式PECVD镀膜异常的补救装置有效
申请号: | 201621405690.X | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206337311U | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 沈凯锋;李勇 | 申请(专利权)人: | 百力达太阳能股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 翁若莹,王婧 |
地址: | 314500 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 板式 pecvd 镀膜 异常 补救 装置 | ||
1.一种板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,包括底部固定板(1),底部固定板(1)连接至少一个合页(2),每个合页(2)连接一个石墨片(3)。
2.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的底部固定板(1)固定于PECVD机台。
3.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的底部固定板(1)的形状为长条形,安装方向平行于PECVD机台的等离子体发射源。
4.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的底部固定板(1)的长度大于等离子体发射源的离子流出口,并且小于反应腔室的长度。
5.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的合页(2)能够180度翻转,合页(2)的两侧分别连接底部固定板(1)和石墨片(3)。
6.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,通过合页(2)的翻转,能够调节石墨片处于对等离子体发射源的“遮挡”或“非遮挡”状态。
7.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的石墨片(3)为扁平的正方形,面积大于放置硅片的石墨架上的单个槽位。
8.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述的底部固定板(1)和合页(2)之间以及合页(2)与石墨片(3)之间采用铆钉相连接。
9.如权利要求1所述的板式PECVD镀膜异常的补救装置,其特征在于,所述合页(2)和石墨片(3)的数量均等于额定单次工艺流程所能同时承担的硅片数量。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的