[实用新型]一种高速微带线装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及通信技术领域，特别是涉及一种高速微带线装置。

背景技术

10G激光器同轴封装(TO)中热沉所用的材料是氮化铝(AlN)，现有工艺所用热沉的厚度通常是0.22毫米，在0.22毫米厚的AlN材料表面上的金属微带线的等效线宽约为0.5毫米。可通过电磁学计算，对于0.22毫米厚的AlN材料，其表面上0.5毫米线宽的金属微带线的特征阻抗为30欧姆左右，而与其连接的普通光模块的输入阻抗为50欧姆，这两者的阻抗并不匹配，从而会引起一定的高速信号的反射。

实用新型内容

本实用新型提供一种高速微带线装置，用于解决10G激光器同轴封装(TO)中热沉用微带线的阻抗与普通光模块的阻抗不匹配以及信号反射系数高的问题。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种高速微带线装置，包括：激光器正极微带线和激光器负极微带线；

所述激光器正极微带线包括激光器正极微带线一区、激光器正极微带线二区和激光器正极微带线三区；

所述激光器正极微带线三区位于所述激光器正极微带线一区的右斜下方，并通过位于所述激光器正极微带线的正中间的所述激光器正极微带线二区连接；

所述激光器正极微带线一区设有第一金丝键合区；

所述激光器正极微带线三区设有第三金丝键合区；

所述激光器负极微带线包括激光器负极微带线一区、激光器负极微带线二区和激光器负极微带线三区；

所述激光器负极微带线三区位于所述激光器负极微带线一区的左斜下方，并通过位于所述激光器负极微带线的正中间的所述激光器负极微带线二区连接；

所述激光器负极微带线一区设有第二金丝键合区。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过对激光器正极微带线的几何结构和激光器负极微带线的几何结构的重新设计，使得第一金丝键合区和第二金丝键合区的宽度在足够宽(大于400微米)的情况下，可以分别对激光器正极微带线的等效线宽和激光器负极微带线的等效线宽进行调节，以得到实际所需要的激光器正极微带线的特征阻抗和激光器负极微带线的特征阻抗。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述第一金丝键合区和所述第二金丝键合区的宽度大于400微米，所述激光器正极微带线二区的等效线宽和所述激光器负极微带线二区的等效线宽均为210～250微米，特征阻抗均为48～52欧姆。

本实用新型的进一步有益效果是：调整激光器正极微带线的等效线宽和激光器负极微带线的等效线宽分别在0.23毫米左右，实现了激光器正极微带线的特征阻抗和激光器负极微带线的特征阻抗分别约为49欧姆，这与普通光模块的50欧姆输入阻抗基本匹配，从源头上减少了高速信号的反射系数，改善了信号的传输质量。

进一步，所述第一金丝键合区的面积和所述第二金丝键合区的面积均大于所述第三金丝键合区的面积。

进一步，所述激光器正极微带线三区的水平宽度和所述激光器正极微带线一区的水平宽度的差值小于30微米；所述激光器负极微带线三区的水平宽度和所述激光器负极微带线一区的水平宽度的差值小于30微米。

进一步，所述第一金丝键合区和所述第二金丝键合区均外接于同轴封装底座的接线柱。

进一步，所述第三金丝键合区外接于激光器芯片。

本实用新型的进一步有益效果是：激光器芯片上焊盘面积较小，最多只能键合两根金丝，因而在激光器正极微带线上可以只预留较小面积的第三金丝键合区域。为了降低芯片封装时金丝键合的附加阻抗(主要是金丝电感)，需要在激光器正极(LD+)微带线上和激光器负极(LD-)微带线上预留面积较大的区域，以便键合3～6根金丝，以满足高速信号传输的需求。

进一步，所述激光器正极微带线位于所述激光器负极微带线的左侧。

进一步，所述第一金丝键合区位于所述激光器正极微带线的左侧，所述第二金丝键合区位于所述激光器负极微带线的右侧。

进一步，所述第一金丝键合区和所述第二金丝键合区左右对称。

附图说明

图1为本实用新型实施例所述的一种高速微带线装置的示意性结构图；

图2为图1所示的高速微带线装置的高频结构仿真图；

图3为现有微带线装置的高频结构仿真图；

表1为图1所示的高速微带线装置和现有微带线装置的反射系数表。