[实用新型]锥形介质陶瓷片

说明书

技术领域

本实用新型属强流电子束真空陶瓷二极管制造技术领域，具体涉及一种锥形介质陶瓷片。

背景技术

强流电子束真空陶瓷二极管是高功率微波系统的关键部件之一，用于产生强流电子束。强流二极管中的真空界面用于隔离脉冲驱动源中的工作介质(去离子水或变压器油等)及微波源中的真空环境。在强流束发射之前，真空界面通常会承受几百千伏的脉冲电压，而由于沿面闪络，真空界面往往成为高功率流的限制因素；此外，强流二极管与其它部件组成的真空室脱离地面机组后，长时间保持工作真空度的能力，也是一种限制因素。因此，有必要提出改进。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题：提供一种锥形介质陶瓷片，本实用新型用锥形介质陶瓷片作为强流电子束二极管上的真空界面，相比现有有机高分子材料，其本身具有较低的出气率，绝缘性优良，机械强度高，耐高温烘烤且易于与金属焊接、以及与金属焊接后保持真空的能力较好等，解决现有强流电子束二极管真空界面的闪络、有机材料的出气率高、机械强度低、以及高功率微波系统工作室真空度保持能力差等问题。

本实用新型采用的技术方案：锥形介质陶瓷片，包括陶瓷片体，所述陶瓷片体为中空锥形结构且其具有外锥面和内锥面，所述陶瓷片体上部中心制有用于与金属零件定位连接的内圆柱面，所述陶瓷片体上端制有上平面，所述内圆柱面和上平面相交处制有上倒角，所述陶瓷片体下部制有用于与金属零件连接的外圆柱面，所述陶瓷片体下端制有下平面，所述外圆柱面和下平面相交处制有下倒角，所述陶瓷片体上部的内圆柱面、上倒角和上平面以及下部的外圆柱面和下倒角表面上均涂覆有金属化层，所述金属化层外表面上镀有镍层。

其中，所述外锥面和内锥面相对应处剖切线相互平行，所述外锥面和内锥面与陶瓷片体中心线的夹角为45°。

进一步地，所述陶瓷片体的厚度为12～15mm，所述陶瓷片体采用92％～95％的氧化铝粉料制备而成。

进一步地，所述内圆柱面的宽度为5～7mm。

进一步地，所述上平面的宽度为10～12mm。

进一步地，所述下平面的宽度大于20mm。

进一步地，所述外圆柱面的外径不小于350mm。

进一步地，所述金属化层为钼锰金属层。

进一步地，所述内圆柱面、上平面、外锥面、内锥面和外圆柱面表面粗糙度Ra在1.0～1.6μm之间。

本实用新型与现有技术相比的优点：

1、本方案用锥形介质陶瓷片作为强流电子束二极管上的真空界面，相比现有有机高分子材料，其本身具有较低的出气率，绝缘性优良，机械强度高，耐高温烘烤且易于与金属焊接、以及与金属焊接后保持真空的能力较好等，解决现有强流电子束二极管真空界面的闪络、有机材料的出气率高、机械强度低、以及高功率微波系统工作室真空度保持能力差等问题；

2、本方案中外锥面和内锥面与陶瓷片体中心线的夹角为45°，这种45°锥形绝缘设计降低了锥形介质陶瓷片在高功率微波系统中电场增强效应，减小电子回流，结构简单，使闪络电压明显提高；

3、本方案中内圆柱面和上平面相交处制有上倒角，上倒角能够避免锥形介质陶瓷片与金属焊接后因应力集中导致产品失效的问题；

4、本方案中外圆柱面和下平面相交处制有下倒角，下倒角有利于陶瓷与金属的焊接，也能够避免高压下的尖端放电。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1中的A部结构放大图；

图3为图1中的B部结构放大图。

具体实施方式

下面结合附图1-3描述本实用新型的实施例。

锥形介质陶瓷片，如图1所示，包括陶瓷片体1，优选的，所述陶瓷片体1的厚度为12～15mm，所述陶瓷片体1采用92％～95％的氧化铝粉料制备而成，经过配料、球磨、除铁、造粒、压制成型、粗加工、高温烧结而成，最后通过精加工设备完成陶瓷产品的加工。所述陶瓷片体1为中空锥形结构且其具有外锥面5和内锥面9，所述外锥面5和内锥面9相对应处剖切线相互平行，所述外锥面5和内锥面9两个锥面的光洁度较好，所述外锥面5和内锥面9与陶瓷片体1中心线的夹角为45°，这种45°锥形绝缘设计降低了锥形介质瓷片在高功率微波系统中电场增强效应，减小电子回流，结构简单，使闪络电压明显提高。