[实用新型]一种双面钝化太阳能电池

权利要求书

1.一种双面钝化太阳能电池，包括硅衬底，在硅衬底正面的绒面结构，在绒面结构底部的N+层，在绒面结构上的正电极，在硅衬底背面的背面SiO₂层，在SiO₂层背面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层背面的铝硅合金层，以及位于铝硅合金层背面的背电极，其特征在于，在绒面结构上表面从下往上依次具有正面SiO₂层和正面氮化硅钝化层，所述正电极穿过正面氮化硅钝化层、正面SiO₂层和绒面结构而进入N+层中；在硅衬底和背面SiO₂层之间还具有P+层；所述背面SiO₂层包括从上到下还依次堆叠的第一SiO₂层和第二SiO₂层；第一背电极穿过铝硅合金层进入到背面氮化硅钝化层中；所述第一SiO₂层的厚度小于或等于所述第二SiO₂层。

2.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一SiO₂层为热氧化SiO₂层，所述第二SiO₂层为等离子体增强化学气相沉积SiO₂层，所述正面SiO₂层为热氧化SiO₂层。

3.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述P+层的厚度大于所述第一SiO₂层的厚度，也大于所述第二SiO₂层的厚度。

4.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一SiO₂层的厚度大于所述正面SiO₂层的厚度，所述第二SiO₂层的厚度大于所述正面SiO₂层的厚度。

5.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述第一SiO₂层的厚度为1～3nm。

6.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述第二SiO₂层的厚度为2～10nm。

7.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述正面SiO₂层的厚度为1～3nm。

8.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面氮化硅钝化层为叠层结构，其包括：与背面SiO₂层的背面相接触的SiNx钝化层，在SiNx钝化层背面的SiNy钝化层，SiNx钝化层中的硅含量高于SiNy钝化层中的硅含量，其中，x、y均为正数，且x≦y；所述SiNx钝化层的厚度与所述SiNy钝化层厚度不相同。

9.根据权利要求8所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述正面氮化硅层的表达式为SiNz，所述正面氮化硅钝化层的硅含量低于SiNy钝化层中的硅含量，z为正数，z≧y；所述正面氮化硅钝化层的厚度大于或等于所述SiNx钝化层的厚度，且大于或等于所述SiNy钝化层的厚度。

10.根据权利要求1所述的双面钝化太阳能电池，其特征在于，所述正面氮化硅钝化层的厚度为40～200nm，所述背面氮化硅钝化层的厚度为40～200nm。