[实用新型]烘烤机构有效
申请号: | 201621414538.8 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206362145U | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 吴玲玲 | 申请(专利权)人: | 惠州市格雷戈里科技有限公司 |
主分类号: | F26B17/04 | 分类号: | F26B17/04;F26B23/00;F26B25/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 曹红梅 |
地址: | 516000 广东省惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烘烤 机构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种烘烤机构。
背景技术
在工业生产中,经常需要利用烘烤机构来进行烘干物料,例如茶叶、药渣、酒糟等物料经常需要进行烘干。而烘烤机构一般包括炉体以及设置于所述炉体内的置物架。所述炉体内还设置有加热件,所述加热件对准所述置物架。当需要烘干时,需要利用所述加热件对所述置物架进行加热。
为了提升物料的受热均匀性,可以设置于所述置物架上振动件,以对物料进行振动。然而,物料容易因为振动幅度过大而掉落。而且所述物料的不能够于所述炉体内传输。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种能够传输物料且能够防止物料掉落的烘烤机构。
一种烘烤机构,包括箱体、多个烘干组件、导料组件,所述箱体内形成有烘干空间,所述箱体的相对两端分别开设有进料口与出料口,所述进料口及所述出料口均与所述烘干空间连通,所述多个烘干组件相互平行地设置于所述烘干空间内,每个烘干组件包括驱动轮、导轮、网格传送带以及发热板,所述驱动轮与所述导轮相对设置,所述网格传送带套设于所述驱动轮与所述导轮上,所述发热板设置于所述驱动轮与所述导轮之间,所述导料组件包括间隔设置于所述烘干空间内的多个导料板,每个导料板设置于相邻两个网格传送带之间,所述导料板的一端连接于所述箱体的内侧壁上,另一端倾斜延伸至对应的网格传送带并与所述网格传送带衔接;所述导料板上设置有导料弯折片,所述导料弯折片与所述导料板共同形成导料通道,所述导料通道的直径沿朝向所述网格传动带的一端逐渐变小,所述网格传送带的宽度大于所述导料板的宽度,所述导料弯折片包括基体层以及设置于所述基体层上的变形层。
在其中一个实施方式中,所述基体层的厚度大于所述变形层的厚度。
在其中一个实施方式中,所述变形层的厚度为0.5毫米-1毫米。
在其中一个实施方式中,所述变形层的厚度为0.7毫米。
在其中一个实施方式中,所述导料弯折片还包括发热层,所述发热层设置于所述基体层背离所述变形层的一侧。
在其中一个实施方式中,所述箱体的内侧壁上设置有电源,所述导料板的底部设置有连接线,所述连接线的两端分别连接所述电源与所述发热层。
在其中一个实施方式中,所述发热层为发热网格,所述发热网格上形成有多个发热孔。
在其中一个实施方式中,所述发热孔为圆形孔。
由于所述导料板上设置有导料弯折片,因此可以利用所述导料弯折片对物料进行引导,以防止物料掉落。而所述物料可以通过所述导料通道并依靠自身重力落入下方的网格传送带上,使得物料的传输更为顺畅。
附图说明
图1为一实施例的烘烤机构的剖视图。
图2为一实施例的导料板与转动件的俯视图。
图3为沿图2中A-A线的剖视图。
图4为一实施例的烘干组件的局部示意图。
图5为另一实施例的金属收集件的端面视图。
图6为图4中VI处的局部放大图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进,因此本实用新型不受下面公开的具体实施的限制。
本实用新型涉及一种烘烤机构。所述烘烤机构包括箱体、多个烘干组件、导料组件,所述箱体内形成有烘干空间,所述箱体的相对两端分别开设有进料口与出料口,所述进料口及所述出料口均与所述烘干空间连通,所述多个烘干组件相互平行地设置于所述烘干空间内。例如,每个烘干组件包括驱动轮、导轮、网格传送带以及发热板,所述驱动轮与所述导轮相对设置,所述网格传送带套设于所述驱动轮与所述导轮上,所述发热板设置于所述驱动轮与所述导轮之间,所述导料组件包括间隔设置于所述烘干空间内的多个导料板。例如,每个导料板设置于相邻两个网格传送带之间,所述导料板的一端连接于所述箱体的内侧壁上,另一端倾斜延伸至对应的网格传送带并与所述网格传送带衔接;所述导料板上设置有导料弯折片。例如,所述导料弯折片与所述导料板共同形成导料通道,所述导料通道的直径沿朝向所述网格传动带的一端逐渐变小,所述网格传送带的宽度大于所述导料板的宽度,所述导料弯折片包括基体层以及设置于所述基体层上的变形层。
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