[实用新型]砷磷化铝镓铟发光二极管

权利要求书

1.一种砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：设有：砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源层,多量子阱有源层上设有p型限制层，p型限制层上设有p型磷化镓(GaP)窗口层，其中，分布布拉格反射层(DBR)为由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)_m超晶格结构组成的[AlAs/(GaAs/AlAs)_m]_n周期性结构；通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。

2.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述p型磷化镓(GaP)窗口层的顶面上设有p型电极，砷化镓(GaAs)衬底的底面上设有n型电极，并形成一芯片整体；经切割后的芯片整体成为发光二极管(LED)所需的芯片。

3.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述分布布拉格反射层(DBR)是由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)_m超晶格材料组成的[AlAs/(GaAs/AlAs)_m]_n周期性结构，其中，n为分布布拉格反射层(DBR)的周期数，且n为2～40；m为超晶格周期数，且m为2～30。

4.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述n型限制层为n型磷化铝镓铟[(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP]材料，其中，x为0.6～1，y为0.4～0.6。

5.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述多量子阱有源区为不同组分的磷化铝镓铟、磷化铝镓铟[(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P/(Al_yGa_1-y)_0.5In_0.5P]材料，其中，x为0～0.5，y为0～1。

6.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述p型限制层为p型磷化铝镓铟[(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP]材料，其中，x为0.6～1，y为0.4～0.6。

7.根据权利要求1所述的砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：所述p型磷化镓(GaP)窗口层的厚度为1-20微米。