[实用新型]一种超磁放大器有效
申请号: | 201621416813.X | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN206322544U | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 宋若谷;刘懋;方达 | 申请(专利权)人: | 云南巴赫科技有限公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F38/02 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 650000 云南省昆明市高新区海源中路1520*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 | ||
1.一种超磁放大器,包括超磁系统外壳(1),其特征在于,所述超磁系统外壳(1)上设有放置腔(3),超磁系统外壳(1)的顶端设有卡槽(2),且卡槽(2)与放置腔(3)相连通,所述卡槽(2)内设有水平设置的不锈钢封底(7),所述不锈钢封底(7)上设有两个平行设置的开口(8),所述放置腔(3)的底端内壁上设有水平设置的第一导磁片(6),所述放置腔(3)内还分别设有两组竖直设置的第二导磁片(5)和第一超磁模块(12),其中第二导磁片(5)和第一超磁模块(12)均设置于第一导磁片(6)的顶端,第一超磁模块(12)位于第二导磁片(5)之间,两组第一超磁模块(12)相靠近的一侧还设有竖直设置的第二超磁模块(9),所述第二超磁模块(9)的两侧壁与第一超磁模块(12)之间还分别设有隔磁条(13)和放大器片(11),所述隔磁条(13)位于第一导磁片(6)的顶端,放大器片(11)位于隔磁条(13)远离第一导磁片(6)的一侧,且放大器片(11)的一端通过开口(8)延伸至超磁系统外壳(1)的上方,所述超磁系统外壳(1)的底端还设有凹槽(4)。
2.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述第二超磁模块(9)的一侧为北极,第二超磁模块(9)的另一侧为南极,其中两个第一超磁模块(12)靠近第二超磁模块(9)的一侧分别与第二超磁模块(9)的南北极相同,第一超磁模块(12)远离第二超磁模块(9)的一侧分别与第二超磁模块(9)的南北极相反。
3.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述第一超磁模块(12)和第二超磁模块(9)均为钐钴铁、钕铁硼、铁氧体Y38/Y40或Seramic 8C制成,且第一超磁模块(12)和第二超磁模块(9)的充磁方向均为厚度充磁。
4.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述第二导磁片(5)的顶端所处水平高度分别大于第一超磁模块(12)和第二超磁模块(9)的顶端所处水平高度,且小于卡槽(2)的底端所处水平高度。
5.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述放大器片(11)远离超磁系统外壳(1)一侧的中间位置设有三角形切槽(10),放大器片(11)为方形结构,且放大器片(11)的四个拐角均为弧形结构。
6.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述卡槽(2)的宽度大于放置腔(3)的宽度。
7.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述超磁系统外壳(1)的底部外侧壁上标记有箭头,其中箭头为超磁系统外壳(1)的中间位置朝向外侧设置。
8.根据权利要求1所述的一种超磁放大器,其特征在于,所述第一超磁模块(12)和第二超磁模块(9)的规格相同。
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