[实用新型]高速智能手机存储芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种存储芯片，尤其是高速智能手机存储芯片。

背景技术

DDR3内存芯片采用了ODT(核心整合终结器)技术以及用于优化性能的EMRS技术，同时也允许输入时钟异步。在针脚定义方面，DDR3表现出很强的独立性，对比DDR2系列有着绝对的优势。

目前DDR3的存储芯片很多用在手机上，但是DDR3大容量的内存加工难度大，影响大批量生产。8G的芯片厚度较厚，强度高，基本是多个芯片平布在基板上，贴合在基板上时，先刷一层环氧树脂层，环氧树脂层的厚度不均匀，通过对8G芯片加压，使8G芯片将环氧树脂层压平，8G芯片贴合在基板上，由于8G芯片较厚不容易压坏。16G芯片较薄，不能受压，容易破碎，采用环氧树脂连接芯片废品率高、不适合大规模生产。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种加工难度小的高速智能手机存储芯片，具体技术方案为：

高速智能手机存储芯片，包括第二层芯片、第一层芯片、基板和环氧树脂；所述第二层芯片通过第二层粘合胶叠加在第一层芯片上方；所述第一层芯片通过第一层粘合胶固定在基板上方；所述第二层芯片和第一层芯片分别通过金线与基板连接；所述基板设有多层，每层均设有金线组成的线路，其中一层为芯片连接层，所述芯片连接层连通第一层芯片和第二层芯片，所述基板下方设有锡球，所述锡球设有多个，规则排布在基板下方；所述锡球与基板上相关的金线连接；所述环氧树脂覆盖在基板上方，将第二层芯片、第二层粘合胶、第一层芯片、第一层粘合胶和金线全部包裹在内。

优选的，所述第二层芯片与第一层芯片之间设有连接板，所述连接板上设有金线线路，所述连接板连通第一层芯片和第二层芯片，所述连接板不大于第二层芯片，所述连接板的四周设有第二层粘合胶，所述第二层粘合胶粘结第 一层芯片和第二层芯片。

优选的，所述第二层芯片与第一层芯片之间设有碳纳米管，所述碳纳米管连通第二层芯片与第一层芯片，所述第二层粘合胶间隔布置，所述碳纳米管布置在第二层粘合胶的间隔处，所述第二层粘合胶粘结第二层芯片和第一层芯片。

16G芯片较薄，采用叠加的方式封装，而环氧树脂作为连接层时厚度大，不平整，无法通过对16G芯片施压使环氧树脂层变平整，因此采用粘合胶贴合，粘合胶为晶圆背面贴合胶带，是一种粘性好，厚度薄，并且平面度好的双面胶，由LG和日立生产。现采用粘合胶，材质较软、平面度好，贴合芯片时不易出现开裂，废品少、加工方便，提高了生产效率。

与现有技术相比本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的高速智能手机存储芯片加工方便、废品率低、适合大批量生产。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

现结合附图说明本实用新型的具体实施方式。

实施例一

如图1所示，高速智能手机存储芯片，包括第二层芯片1、第一层芯片3、基板5和环氧树脂7；所述第二层芯片1通过第二层粘合胶2叠加在第一层芯片3上方；所述第一层芯片3通过第一层粘合胶4固定在基板5上方；所述第二层芯片1和第一层芯片3分别通过金线8与基板5连接；所述基板5设有多层，每层均设有金线组成的线路，其中一层为芯片连接层，所述芯片连接层连通第一层芯片3和第二层芯片1，所述基板5下方设有锡球6，所述锡球6设有多个，规则排布在基板5下方；所述锡球6与基板5上相关的金线连接；所述环氧树脂7覆盖在基板5上方，将第二层芯片1、第二层粘合胶2、第一层芯片3、第一层粘合胶4和金线8全部包裹在内。

所述第二层芯片1与第一层芯片3之间设有连接板，所述连接板上设有金线线路，所述连接板连通第一层芯片3和第二层芯片1，所述连接板不大 于第二层芯片1，所述连接板的四周设有第二层粘合胶2，所述第二层粘合胶2粘结第一层芯片3和第二层芯片1。

由于基板的厚度固定，层数难以增加，而存储芯片容量变大，连接金线增多，原有的基板较难满足高密度的金线布置，容易出现短路，通过连接板连通第一层芯片3和第二层芯片1，无需增加基板的层数和金线的布置数量，降低基板加工难度，同时减少金线与基板的连接数量，能减少了基板的短路几率，有助于提高质量，降低成本。

实施例二