[实用新型]一种改进的半导体制冷器有效
| 申请号： | 201621424649.7 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN206387140U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 梁永诒 | 申请（专利权）人： | 佛山市顺德区奥达信电器有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 刘孟斌 |
| 地址： | 528300 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改进 半导体 制冷 | ||
【权利要求书】：
1.一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片（1），半导体制冷片（1）由上基板（101）和下基板（102），以及阵列设置在上基板（101）和下基板（102）之间的多组P-N结半导体（103）组成，其特征在于：所述上基板（101）和下基板（102）的边缘处按设置有密封环绕层（2），上基板（101）和下基板（102）之间的密封环绕层（2）内设置有真空绝缘区域（3），多组P-N结半导体（103）设置在真空绝缘区域（3）内。
2.根据权利要求1所述一种改进的半导体制冷器，其特征在于：所述密封环绕层（2）为粘合硅胶材料。
3.根据权利要求1所述一种改进的半导体制冷器，其特征在于：所述上基板（101）与P-N结半导体（103）之间设有上导流条（4）。
4.根据权利要求1所述一种改进的半导体制冷器，其特征在于：所述下基板（102）与P-N结半导体（103）之间设有下导流条（5）。
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