[实用新型]一种三级式离子接地极有效
申请号: | 201621425413.5 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206370510U | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 史兴坤;于波 | 申请(专利权)人: | 深圳市国电投资有限公司 |
主分类号: | H01R4/66 | 分类号: | H01R4/66;H01R4/58 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 李江,王涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三级 离子 接地 | ||
技术领域
本实用新型涉及供电技术领域,尤其涉及一种接地体设备,具体是指一种三级式离子接地极。
背景技术
电力铁塔或高大建筑物都设有防雷避雷措施,其中接地体是常见的泻放电流主体,利用导线将铁塔或建筑物受到雷击时,产生的强大电流瞬间传输到接地体,然后通过接地体将雷电流瞬间泻放到大地中,从而避免铁塔或建筑物被雷电击中,免受重大损害。
目前的接地体主要有两种,第一种为目前常用的金属材质如铜、铁等,但受到土壤酸碱成分的侵蚀,接地体会慢慢锈蚀,从而影响泻电流效果;第二种为普通石墨块,该石墨块采用元素碳压制,虽然解决了传统金属接地体容易锈蚀的问题,但是压制后的石墨块接地体与土壤之间的接触效果不好,通常需要在接地体周边使用盐水或其他金属导电离子物质,使用一段时间该种物质很快散失,就出现了导电效果差的问题。
我公司在不断的研发过程中,为了进一步提高产品质量,依然存在弊端,如防腐能力差,导电能力差。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术所存在的不足之处,提供一种三级式离子接地极,该接地体既可以提高导电效果,同时还具有较好的防腐效果,在进行测试中,导电系数每米5-7微欧姆,抗压强度达1000-1200N,利用200KN大电流冲击依然能够正常使用。
本实用新型的技术解决方案是,提供如下一种三级式离子接地极,包括石墨体外壳,所述石墨体外壳上设有安装石墨缆的通孔,所述通孔直径大于石墨缆直径,所述石墨缆安装到通孔中后,石墨缆与通孔之间设有间隙,所述间隙内填充有释放后增大导电功能的颗粒状的药剂层,所述药剂层呈环形包裹着石墨缆,所述石墨体外壳两端的通孔口部分别设有左端盖和右端盖。
作为优选,所述左、右端盖与石墨壳体接触的一面设有插入到通孔中的凸起部,所述凸起部与通孔之间为过度配合。
作为优选,所述左端盖上设有贯穿左端盖且供石墨缆穿过的安装通道,所述安装通道为阶梯状,包括两阶段尺寸不同的内孔,左侧的为光孔,右侧的为螺纹孔,光孔的孔径小于螺纹孔的公称直径,所述左端盖的外表面与光孔之间设有倒角。
作为优选,所述右端盖上设有用于石墨缆定位的盲孔,所述右端盖上凸起部的柱状侧壁上沿着凸起部的径向设有螺钉孔,所述螺钉孔上设有沉头,所述螺钉孔通过盲孔后延伸至凸起部的另一侧壁,且部不穿过另一侧的侧壁。
作为优选,所述石墨缆两端设有卡箍,分别为左卡箍和右卡箍,所述左卡箍设有与左端盖螺纹孔配合的外螺纹,所述右卡箍上设有贯穿右卡箍的螺钉穿插孔。
作为优选,所述左、右端盖分别与石墨体外壳接触的台阶面上设有朝向石墨体外壳突出的环形隆起部,所述环形隆起部截面为半圆形,所述石墨体外壳上设有与环形隆起部配合的凹槽,所述凹槽的截面为半圆形。
采用本技术方案的有益效果:该接地体既可以提高导电效果,同时还具有较好的防腐效果,在进行测试中,导电系数每米5-7微欧姆,抗压强度达1000-1200N,利用200KN大电流冲击依然能够正常使用。
附图说明
图1为本实用新型三级式离子接地极的结构示意图。
图2为三级式离子接地极的剖视图。
图3为石墨体外壳结构示意图。
图4为左端盖结构示意图。
图5为右端盖结构示意图。
图中所示:1、石墨体外壳,2、通孔,3、药剂层,4、左端盖,4.1、安装通道,4.2、光孔,4.3、螺纹孔,4.4、倒角,5、右端盖,5.1、盲孔,5.2、螺钉孔,5.3、沉头,6、凸起部,7、石墨缆,7.1、左卡箍,7.2、右卡箍,7.3、外螺纹,7.4、螺钉穿插孔,8、隆起部,9、凹槽。
具体实施方式
为便于说明,下面结合附图,对实用新型的三级式离子接地极做详细说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市国电投资有限公司,未经深圳市国电投资有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621425413.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:插座型灯具及其插座
- 下一篇:透镜隔离器阵列、阵列激光器封装结构及其制作方法