[实用新型]一种有机发光显示面板及装置有效
申请号: | 201621431365.0 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206282861U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 蔡雨;李喜烈;刘聪慧;于泉鹏 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板及装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器是一种自发光显示器,与LCD(liquid crystal display,液晶显示器)相比,OLED显示器不需要背光源,因此OLED显示器更为轻薄,此外OLED显示器还具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。
OLED显示器的寿命一方面取决于所选用的有机材料,另一方面还取决于器件的封装方法。对于有机电子器件,尤其是OLED来说,要严格杜绝来自周围环境中的水汽和氧气。现有技术中常使用薄膜封装的方法来保证有机发光材料和电极不受外界环境中水汽和氧气的侵蚀。同时,为了避免无机膜层和有机膜层的延伸效应导致器件周边的无效区域的增加,现有技术往往在有机发光结构的周围设置一个或两个等高的阻隔柱。为了充分覆盖基板表面的异物和使基板平坦化,薄膜封装层的有机层通常采用很厚的膜层结构,因此在显示面板的边缘区域形成了很高的台阶和很大的坡度,导致位于显示面板边缘区域的无机层因应力集中而易出现断裂,且使得位于陡坡处的金属走线在弯折时有断线的风险。
实用新型内容
本实用新型提供一种有机发光显示面板及装置,以实现减小陡坡的坡度,降低了显示面板边缘区域无机层断裂以及位于陡坡处的金属走线在弯折时断线的风险。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种有机发光显示面板,包括:
基板;
有机发光结构,所述有机发光结构位于所述基板上;
薄膜封装层,所述薄膜封装层覆盖所述有机发光结构,所述薄膜封装层包括至少一有机层和至少一无机层;
位于第一阻挡区的第一阻隔柱;
位于第二阻挡区的第二阻隔柱;
位于第三阻挡区的第三阻隔柱;
其中,所述第一阻挡区围绕所述有机发光结构,所述第二阻挡区围绕所述第一阻挡区,所述第三阻挡区围绕所述第二阻挡区;
所述第一阻隔柱的高度大于所述第二阻隔柱的高度,且所述第二阻隔柱的高度大于所述第三阻隔柱的高度。
第二方面,本实用新型实施例还提供了一种有机发光显示装置,包括上述的有机发光显示面板。
本实用新型提供的有机发光显示面板包括位于第一阻挡区的第一阻隔柱、位于第二阻挡区的第二阻隔柱以及位于第三阻挡区的第三阻隔柱,第一阻挡区围绕有机发光结构,第二阻挡区围绕第一阻挡区,第三阻挡区围绕第二阻挡区,且通过设置第一阻隔柱的高度大于第二阻隔柱的高度,第二阻隔柱的高度大于第三阻隔柱的高度,减小了陡坡的坡度,提高了显示面板边缘区域的无机层的应力,同时也降低了位于陡坡处的金属走线在显示面板受到外力而变形或弯折时发生断线的风险。
附图说明
图1a为本实用新型实施例中的一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图1b为沿图1a中AA’方向的剖面结构示意图;
图2为本实用新型实施例中的又一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图3a为本实用新型实施例中的另一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图3b为沿图3a中BB’方向的剖面结构示意图;
图4为本实用新型实施例中的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图;
图5a为本实用新型实施例中的又一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图5b为沿图5a中CC’方向的剖面结构示意图;
图6a为本实用新型实施例中的又一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图6b为沿图6a中DD’方向的剖面结构示意图;
图7为本实用新型实施例中的又一种有机发光显示面板的剖面结构示意图;
图8a为本实用新型实施例中的另一种有机发光显示面板的俯视结构示意图;
图8b为沿图8a中EE’方向的剖面结构示意图;
图9为本实用新型实施例中的一种有机发光显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的