[实用新型]一种基于DS18B20的多点测温采集仪有效

专利信息
申请号: 201621431605.7 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN206450329U 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 李松;王辅宋;刘付鹏;谢镇;刘国勇 申请(专利权)人: 江西飞尚科技有限公司
主分类号: G01K7/00 分类号: G01K7/00;G01K1/02
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 代理人: 吴称生
地址: 330200 江西省南*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 ds18b20 多点 测温 采集
【权利要求书】:

1.一种基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是由单片机控制系统、电源管理电路、单总线驱动器、存储单元、通道片选板和通信电路构成,电源管理电路、存储单元和通信电路连接单片机控制系统,单片机控制系统连接单总线驱动器,单总线驱动器连接通道片选板,通道片选板连接温度传感器DS18B20。

2.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:所述单总线驱动器和存储单元通过I2C总线与单片机控制系统连接。

3.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:通信电路和电源管理电路直接通过IO口与单片机控制系统连接。

4.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:温度传感器DS18B20与单总线驱动器采用单总线方式连接。

5.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:每块通道片选板由4个通道组成,每个通道最多连接8个温度传感器,多点测温采集仪最多挂载8个通道片选板。

6.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:所述单总线驱动器控制外部连接的MOSFET器件,用于单总线强上拉。

7.根据权利要求6所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:所述单总线设有470Ω的上拉电阻。

8.根据权利要求1所述的基于DS18B20的多点测温采集仪,其特征是:单片机控制系统采用STM32单片机作为控制单元,STM32单片机的供电电压为3.3V,由电源管理电路提供。

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