[实用新型]一种玻璃压紧装置有效
申请号: | 201621432299.9 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN206328461U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 李晗光 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人: | 阳开亮 |
地址: | 518057 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 压紧 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于玻璃镀膜技术领域,尤其涉及一种玻璃压紧装置。
背景技术
化学气相沉积(Chemical vapor deposition,简称CVD)是一种化学气相生长法,CVD工艺通过在不同的温度场、不同的真空度下,将集中含有构成涂层材料元素的化合物或单质反应源气体,通入含有被处理工件的反应室中,在工件和气相界面进行分解、解吸、化合等反应,生成新的固态沉积物以及其他气态的副产物,前者成为沉积薄膜的一部分,后者将利用扩散效应进入主气流里。
目前,CVD工艺广泛使用于对玻璃进行镀膜操作的工艺过程中,例如常用的电浆增强型化学气象沉积设备,请参照附图1所示,在对玻璃60'进行镀膜的过程中,通常需要在玻璃60'外围设置遮蔽框架10',以使化学反应限定在遮蔽框架10'之内的区域;在使用时还需要将遮蔽框架10'抵压在玻璃60'的边缘,以使玻璃60'与基座40'严密贴合,从而防止玻璃60'翘起造成玻璃60'背面被镀膜而影响后续其他制程。但现有设备由于沿竖直方向扩散的反应源气体以及沿玻璃60'表面附近扩散的气态副产物在遮蔽框架10'与玻璃60'的接触的附近区域会产生扰流,从而影响该区域反应源气体与玻璃60'表面进行充分的化学反应,使得玻璃60'边缘无法获得高质量的沉积薄膜,大大降低了产品的良品率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种玻璃压紧装置,旨在解决现有技术中玻璃边缘由于遮蔽框架的存在而无法获得高质量的沉积薄膜,以致产品良品率难以提高的技术问题。
本实用新型是这样实现的,一种玻璃压紧装置,设置于化学气象沉积设备中,并用于压紧镀膜过程中的玻璃,所述玻璃的上表面划分为镀膜区以及环设于所述镀膜区四周并靠近所述玻璃边缘的非镀膜区,所述玻璃压紧装置包括基座、遮蔽框架以及多个压块;所述基座用于支撑和加热所述玻璃,所述遮蔽框架与所述玻璃设于所述基座的同一表面上;所述遮蔽框架环设于所述玻璃外围并与所述玻璃各边缘间隔设置;所述压块位于所述遮蔽框架与所述基座之间,所述压块的一侧与所述遮蔽框架固定连接,所述压块的另一侧压紧于所述玻璃的非镀膜区上。
进一步地,所述玻璃压紧装置还包括固定设置于所述压块下方的垫块,所述垫块设于所述基座上表面。
进一步地,所述玻璃压紧装置还包括至少一个依次穿过所述垫块和所述压块并锁紧于所述遮蔽框架中的紧固件。
具体地,所述紧固件包括头部和杆部,所述杆部包括光杆段和螺纹段;至少一所述压块均设有收容所述光杆段的第一通孔,至少一所述压块对应的垫块设有收容所述光杆段的第二通孔,所述遮蔽框架设有与所述螺纹段螺接的螺纹孔,所述第一通孔、所述第二通孔和所述螺纹孔相对设置且相互贯通。
优选地,每一所述压块与垫块对应的位置包括两个所述紧固件。
优选地,所述垫块和所述压块均为长方体结构。
优选地,所述遮蔽框架包括四个两两垂直且首尾连接的边框。
优选地,所述边框包括相互垂直的横部和竖部,所述压块的上表面与所述横部的下表面相接触,所述压块的下表面与所述垫块的上表面相接触,所述垫块的下表面与所述竖部的下表面平齐,且所述垫块的下表面与所述竖部的下表面共同抵持在所述基座上。
优选地,所述垫块和所述压块的数量均为八块,且各所述压块分别设于各所述边框的顶点或中部位置处。
优选地,各所述边框与相对应的所述玻璃外边之间的距离范围为20~25mm。
本实用新型相对于现有技术的技术效果是:所述玻璃压紧装置通过将所述遮蔽框架设置在所述玻璃外围,设置在所述遮蔽框架靠近所述玻璃一侧且与所述遮蔽框架固定连接的压块压紧所述玻璃,以使所述玻璃与所述基座贴合严密,而所述压块本身处于玻璃表面的非镀膜区,从而使得所述玻璃的中心及其边缘均可获得高质量的沉积薄膜,有效地提高了产品的良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对本实用新型实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中玻璃镀膜工艺使用的压紧装置的示意图;
图2是本实用新型实施例提供的玻璃压紧装置的剖视图;
图3是2中的A区局部放大示意图;
图4是2提供的压紧装置的俯视图。
附图标记说明:
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的