[实用新型]显示基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示装置。

背景技术

硅基有机发光二极管(硅基OLED)微显示是以单晶硅芯片为基底，硅基OLED的像素尺寸仅为传统显示器件的像素尺寸的十分之一，因此，其在制备过程中的精细度远远高于传统显示器件。例如，硅基OLED中各像素之间的距离只有1μm，因而造成彩色硅基OLED显示制备彩膜时工艺难度大，若采用传统涂覆的方法，很容易造成各种颜色的彩色滤光片(R、G、B)交叠。并且由于形成彩色滤光片的材料通常为有机材料，其在形成彩色滤光片的过程中会产生气体，该气体残留在彩色滤光片中无法逸出，会导致产品良率降低。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种提高硅基OLED器件产品良率的显示基板、显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括基底以及位于所述基底的上方的彩色滤光片和辅助部，所述彩色滤光片和所述辅助部一体成型，所述辅助部内设置有气孔。

其中，在任意两个相邻的像素之间设置有遮光图案。

其中，所述遮光图案包括黑矩阵。

其中，所述黑矩阵中设置有气孔。

其中，不同颜色的所述彩色滤光片包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，所述遮光图案包括相互叠置的第一部分、第二部分和第三部分；

所述红色滤光片和所述第一部分同层设置且材料相同；

所述绿色滤光片和所述第二部分同层设置且材料相同；

所述蓝色滤光片和所述第三部分同层设置且材料相同。

其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中均设置有气孔。

其中，所述第一部分为与其相邻的与红色滤光片一体成型的辅助部。

其中，所述基底包括单晶硅芯片。

其中，在所述基底和所述彩色滤光片之间，由下至上依次设置有绝缘层、第一电极、有机发光二极管、第二电极和平坦化层。

其中，所述有机发光二极管为白光有机发光二极管。

作为另一技术方案，本实用新型还提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示基板。

本实用新型的显示基板、显示装置中，该显示基板包括基底以及位于基底的上方的彩色滤光片和辅助部，彩色滤光片和辅助部一体成型，辅助部内设置有气孔。由于彩色滤光片和辅助部一体成型，在形成彩色滤光片和辅助部的时候，通过设置在辅助部内的气孔，可以使转印材料在转印形成彩色滤光片和辅助部的过程中产生的气体逸出，从而使形成的彩色滤光片更加均匀，进而提高产品良率。

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的显示基板的俯视图；

图2为本实用新型的实施例1的显示基板的一种正视图；

图3为本实用新型的实施例1的显示基板的另一种正视图；

图4为本实用新型的实施例1的显示基板的结构示意图；

图5为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法的流程图；

图6为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中步骤S01和步骤S02的结构图示意；

图7为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中步骤S1的第一结构示意图；

图8为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中步骤S1的第二结构示意图；

图9为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中步骤S1的第三结构示意图；

图10为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中步骤S2的结构示意图；

图11为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中另一步骤S1和S2的第一结构示意图；

图12为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中另一步骤S1和S2的第二结构示意图；

图13为本实用新型的实施例3的显示基板的制备方法中另一步骤S1和S2的第三结构示意图；

其中，附图标记为：1、彩色滤光片；11、红色滤光片；12、绿色滤光片；13、蓝色滤光片；2、辅助部；3、气孔；4、遮光图案；41、黑矩阵；42、第一部分；43、第二部分；44、第三部分；5、基底；6、绝缘层；7、第一电极；8、有机发光二极管；9、第二电极；10、平坦化层；20、彩色滤光材料；30、转印牺牲层；40、转印基板；401、镂空图案；402、凸起；50、光热转换层。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：