[实用新型]含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件有效
| 申请号： | 201621437259.3 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN206774502U | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 郑彤,万志香 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 掺杂 氮化 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
籽晶层，所述籽晶层设在所述衬底的上部，所述籽晶层包含硅掺杂氮化铝层，所述硅掺杂氮化铝层中硅的掺杂浓度小于2E19；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述籽晶层的上部；以及
Ⅲ族氮化物外延层，所述Ⅲ族氮化物外延层设置在所述缓冲层的上部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述籽晶层为硅掺杂氮化铝层的单层结构。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述籽晶层还包括与所述硅掺杂氮化铝层层叠设置的氮化铝层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述氮化铝层和/或所述硅掺杂氮化铝层为多层，且所述氮化铝层与所述硅掺杂氮化铝层交替层叠。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层为氮化铝层和/或氮镓铝层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物外延层包括氮化镓外延层及氮镓铝外延层中的至少一层，且所述Ⅲ族氮化物外延层中具有由氮化镓外延层与氮镓铝外延层构成的异质结构。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置在所述Ⅲ族氮化物外延层中间的氮化铝插入层和/或氮镓铝插入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
