[实用新型]一种超低电阻半导电缓冲阻水带有效
| 申请号： | 201621443882.X | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206370306U | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李鑫鑫;王巍 | 申请（专利权）人： | 沈阳东铄电材有限公司 |
| 主分类号： | H01B7/288 | 分类号： | H01B7/288;H01B9/00 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)11426 | 代理人： | 李娜,刘冬梅 |
| 地址： | 110144 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 导电 缓冲 阻水带 | ||
1.一种半导电缓冲阻水带，包括半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)，其特征在于，
在所述半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别设有粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)，优选通过在半导电无纺布Ⅰ(10)和半导电无纺布Ⅱ(20)内侧分别涂覆胶黏剂而形成，更优选在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间设有阻水层(30)，优选通过在所述粘结层Ⅰ(11)和粘结层Ⅱ(21)之间铺设吸水材料而形成，
其中，粘结层Ⅰ(11)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅰ(111)，并且，粘结层Ⅱ(21)和阻水层(30)通过相互浸润和/或渗透形成过渡层Ⅱ(211)。
2.根据权利要求1所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电无纺布Ⅰ(10)选自半导电热轧布或半导电粘合布，半导电无纺布Ⅰ(10)的厚度优选为0.10～0.20mm。
3.根据权利要求2所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，半导电无纺布Ⅰ(10)的厚度例如为0.12～0.15mm。
4.根据权利要求1所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电无纺布Ⅱ(20)优选为半导电蓬松针刺棉，
半导电无纺布Ⅱ(20)的厚度例如为0.8～1.6mm。
5.根据权利要求4所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，半导电无纺布Ⅱ(20)的厚度为1.0～1.4mm。
6.根据权利要求1所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述阻水层(30)由吸水材料铺设形成，所述吸水材料包括不导电吸水树脂，所述不导电吸水树脂的粒径为100～120μm。
7.根据权利要求1所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述阻水层(30)由吸水材料铺设形成，所述吸水材料包括不导电吸水树脂和半导电吸水树脂，所述半导电吸水树脂的粒径为150～380μm。
8.根据权利要求1至7之一所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，
所述过渡层Ⅰ(111)包括胶黏剂和吸水材料；
所述过渡层Ⅱ(211)包括胶黏剂和吸水材料；
所述过渡层Ⅰ(111)、过渡层Ⅱ(211)和阻水层(30)的总厚度为0.2～0.5mm。
9.根据权利要求1至7之一所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电缓冲阻水带的厚度为1.5±0.4mm。
10.根据权利要求1至7之一所述的半导电缓冲阻水带，其特征在于，所述半导电缓冲阻水带的单位面积重量为260±40g/m2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳东铄电材有限公司，未经沈阳东铄电材有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201621443882.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
