[实用新型]一种深紫外LED封装器件有效
| 申请号： | 201621447160.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206639811U | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 万垂铭;曾照明;姜志荣;朱文敏;李真真;侯宇;肖国伟 | 申请（专利权）人： | 广东晶科电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 511458 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 器件 | ||
1.一种深紫外LED封装器件，其特征在于：
包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；
所述金属基板的正极区域和负极区域通过所述中间绝缘层分隔；
所述深紫外芯片固定于所述金属基板上，且所述深紫外芯片与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；
所述光学元件通过所述第一金属共晶键合层固定于所述金属基板上，所述光学元件将所述深紫外芯片完全包裹。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：还包括有SiO2绝缘层；所述SiO2绝缘层覆盖于所述中间绝缘层的内表面。
3.根据权利要求2所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：还包括有第二金属共晶键合层；所述深紫外芯片通过所述第二金属共晶键合层固定于所述金属基板上。
4.根据权利要求3所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述深紫外芯片为垂直芯片；所述第二金属共晶键合层位于所述金属基板的负极区域上；所述垂直芯片通过所述第二金属共晶键合层与所述金属基板的负极区域电连接，所述垂直芯片通过金线与所述金属基板的正极区域电连接。
5.根据权利要求3所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述深紫外芯片为倒装芯片；所述金属基板的正极区域和负极区域均设有所述第二金属共晶键合层，所述倒装芯片通过所述第二金属共晶键合层与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接。
6.根据权利要求1～5任一项所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述光学元件的外表面呈多层阶梯式结构，且所述光学元件的外表面设有粗化微结构层。
7.根据权利要求1～5任一项所述的一种深紫外LED封装器件，其特征在于：所述金属基板为平面型金属铜片；所述中间绝缘层由SMC材质制成；所述光学元件由无机透明材质制成。
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