[实用新型]显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种显示面板及具有其的显示装置，属于平板显示技术领域。

背景技术

显示技术的种类较多，包括LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管显示)等。其中OLED显示具有自发光、轻薄省电等优点，还可基于柔性材料而制成柔性显示装置，可以被卷曲、折叠或者作为可穿戴设备的一部分。OLED是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的二极管。OLED发光原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发而发出可见光。

根据驱动方式的不同，OLED可分为PMOLED(Passive Matrix/Organic Light Emitting Diode，无源矩阵有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)两种，AMOLED具有更薄更轻、主动发光而不需要背光源、无视角问题、高清晰、高亮度、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、可实现柔软显示等特点，其中不少特性是TFT液晶面板难以实现的，AMOLED如今已经成为主流的OLED技术。

AMOLED显示面板由多条扫描线SL、多条数据线DL和形成多行多列呈矩阵排列的多个像素单元等组成，每个像素单元内设有用于驱动有机发光二极管发光的像素驱动电路，像素驱动电路的最基本结构为2T1C型，如图1所示，驱动晶体管T2连接到有机发光二极管OLED，以便提供发光用的电流，开关晶体管T1提供数据电压V_data来控制驱动晶体管T2的电流量，在驱动晶体管T2的栅极与漏极之间连接有电容C，用于维持所提供的电压一段预定的时间，开关晶体管T1的栅极连接到扫描线SL，并且源极连接到数据线DL，电源芯片提供ELVDD电压经驱动晶体管T2转换成驱动电流至有机发光二极管OLED供其发光。

现有技术中，制作AMOLED显示面板中的开关晶体管T1、驱动晶体管T2以及AMOLED显示面板的周边区域的驱动电路等的晶体管的主流类型包括非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和氧化物半导体晶体管三种。此三种类型的薄膜晶体管各有特点，其中，非晶硅应用最为广泛，制程简单、均匀性好，迁移率低；多晶硅制程复杂，迁移率高，均匀性不好；氧化物半导体均匀性好，制程简单，成本高。现有技术一般根据面板的显示需求，选择不同类别的薄膜晶体管制作。在AMOLED显示面板的实际生产中，整块基板一般采用同种薄膜晶体管，但此种制作方法不能满足不同区域对薄膜晶体管的特性需求，造成了一定程度的特性缺失。随着显示技术的发展，利用硅薄膜晶体管(非晶硅和多晶硅)和氧化物半导体晶体管相结合制作AMOLED显示面板的像素驱动电路及周边区域的驱动电路的技术越来越受到业内的关注。但是采用硅薄膜晶体管和氧化物半导体晶体管的混合结构，存在氧化物半导体晶体管中的栅极绝缘层过厚的问题，需要较大的驱动电压，功耗较大；再有，硅薄膜晶体管的半导体层一般都会掺杂较高含量的氢，硅薄膜晶体管的半导体层中的掺杂的氢析出后会通过由SiNx材料制作的绝缘层等游离至其它位置，因此氧化物半导体晶体管的氧化物半导体层极易被从硅薄膜晶体管中渗出的氢掺杂而变成导体，进而导致氧化物半导体晶体管的性能失效。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种显示面板，同时具有硅薄膜晶体管和氧化物半导体晶体管，并且提高了氧化物半导体晶体管的稳定性能。

本实用新型实施例提供的显示面板，具有设置在同一个像素单元内的硅薄膜晶体管、氧化物半导体晶体管以及多个绝缘层，所述硅薄膜晶体管包括硅薄膜半导体层、第一栅极、第一源极和第一漏极；所述氧化物半导体晶体管包括第二栅极、氧化物半导体层、第二源极和第二漏极，其中，所述显示面板还包括氢牺牲层，所述氢牺牲层用于拦截游离至所述氧化物半导体晶体管的氧化物半导体层的氢。

进一步地，所述氢牺牲层对应设置在所述氧化物半导体晶体管所在位置处的下方。

进一步地,所述氢牺牲层的材料为SiO_X或低氢非晶硅，厚度为至