[实用新型]半导体器件的电性测试定位结构有效

专利信息
申请号: 201621450481.7 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN206541800U 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 邓勇泉;刘民崛 申请(专利权)人: 上海泰睿思微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/68
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司31229 代理人: 汪家瀚
地址: 201306 上海市浦东新区南*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 测试 定位 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及半导体器件测试技术领域,具体来说涉及一种半导体器件的电性测试定位结构。

背景技术

半导体器件制成后,需要进行电性能测试,以确保器件的质量。半导体器件一般通过如图1所示的电性能测试座10进行检测,所述测试座10 的检测区11上设有用以设置产品以进行电性能测试的测试探针12。然而,如图2所示,现有测试座10在电性能测试时,半导体产品13的引脚会直接下压接触测试探针12,这个过程容易导致半导体产品13出现小角度旋转,造成半导体产品13的引脚与测试探针12接触不良,进而出现CONT 等不良比例偏高,也容易使良品的产品被误测为次品而丢弃,造成不必要的耗损。

实用新型内容

鉴于上述情况,本实用新型提供一种半导体器件的电性测试定位结构,所述定位结构是在测试座上固设一具有限位凹口的定位件,使半导体产品通过所述限位凹口的位置限制再安装于测试探针上,解决了半导体产品在下压时容易小角度旋转的技术问题,达到半导体产品与测试探针能良好的接触,防止因接触不良导致半导体产品误测而降低测试良率等有益技术效果。

为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案是提供一种半导体器件的电性测试定位结构,其用以配合半导体器件的测试座使用,所述测试座上设有测试探针以及半导体产品,所述半导体产品具有对应所述测试探针设置的引脚;其中,所述定位结构包括:定位件,固设于所述测试座上,所述定位件对应所述测试探针的位置设有限位凹口,所述限位凹口用以容置所述半导体产品;所述半导体产品被所述限位凹口校正定位或限制定位,令所述引脚与所述测试探针接触。

本实用新型半导体器件的电性测试定位结构的进一步改进在于,所述定位件成形为板件结构,所述限位凹口成形于所述板件边缘处。

本实用新型半导体器件的电性测试定位结构的进一步改进在于,所述测试座的顶面设有安装部;所述定位件对应所述安装部设有组接部;所述定位件通过其组接部与所述测试座的安装部固定安装。较佳地,所述测试座与所述定位件可以通过凹凸结构相互嵌合或者螺锁结构相互锁合等技术手段,以达到固定设置的目的。

所述凹凸结构具体为,所述测试座的安装部成形为凸块,所述定位件的组接部成形为与所述凸块形状对合的凹槽,令所述定位件与所述测试座通过所述凸块与所述凹槽凹凸嵌合以固定结合。或者具体为,所述测试座的安装部成形为凹槽,所述定位件的组接部成形为与所述凹槽形状对合的凸块,令所述定位件与所述测试座通过所述凹槽与所述凸块凹凸嵌合以固定结合。

所述螺锁结构具体为,所述测试座的安装部成形为螺孔,所述定位件的组接部成形为通孔;所述定位件与所述测试座通过螺栓穿置所述通孔并与所述螺孔锁结以固定结合。

本实用新型半导体器件的电性测试定位结构的进一步改进在于,所述测试座的顶面上凹设有检测区,所述测试探针设置于所述检测区内。

本实用新型由于采用了以上技术方案,使其具有以下有益效果:

(1)通过所述具有限位凹口的定位件,使半导体产品在组装于测试探针的过程中,可以通过限位凹口的位置限制再安装于测试探针上,防止了半导体产品在组装过程中发生小角度旋转,使半导体产品的引脚能够与测试探针的接触良好,防止因接触不良导致半导体产品误测而降低测试良率等有益技术效果。

(2)通过将定位件的限位凹口设于在边缘处,能够避免定位件对位在其下方的测试探针形成遮蔽,影响半导体产品的组设及后续测试作业,具有便于将半导体产品对准置入所述限位凹口内,以对半导体产品起到优良的位置固定或校正效果。

(3)使用时,可以根据半导体产品的尺寸,选择限位凹口尺寸与半导体产品相对应的定位件,使本实用新型半导体器件的电性测试定位结构具有适用性广的有益技术效果。

(4)本实用新型的定位件与测试座之间至少包括通过凹凸结构相互嵌合以及通过螺锁结构相互锁合等结合方式,能够符合实际使用需求例如依据定位件的替换频率,在替换次数频繁时采用凹凸嵌合固定,在替换次数少时则可采用螺锁固定。

附图说明

图1为现有技术中测试座10的结构示意图。

图2是现有技术中测试座10的测试探针12与半导体产品30的使用状态示意图。

图3是本实用新型半导体器件的电性测试定位结构的俯视结构示意图。

图4是本实用新型图3的虚线圆框局部放大示意图。

图5是本实用新型半导体器件的电性测试定位结构的正视结构示意图。

附图标记与部件的对应关系如下:

现有技术:

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