[实用新型]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底连接-2.0V~0V的负电压。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：噪声滤除电路，所述噪声滤除电路提供所述工作电压至所述源跟随晶体管的漏极。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管的漏极连接1.0V~2.0V的工作电压。

5.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述噪声滤除电路为低压差线性稳压电路。

6.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述噪声滤除电路提供所述选择电压至所述复位晶体管的源极，所述复位晶体管的源极连接1.0V~2.0V的选择电压。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：设置于所述源跟随晶体管的沟道区靠近栅极氧化层内表面的第一N型掺杂区域。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：依次设置于所述源跟随晶体管的沟道区沿栅极氧化层向内的P型掺杂区域和第二N型掺杂区域。