[实用新型]一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器。

背景技术

射频功率放大器是各种无线发射机的重要组成部分；在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去；为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。

申请号为201210140694.X的专利文件公开了采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，用于提供一种采用标准CMOS工艺实现高性能2G手机射频前端功率放大器的方法，并提出将射频前端功放芯片与射频收发器集成在一颗晶圆的架构，但是，其不能够根据需要进行放大系数的调整，导致使用范围有限，使用不方便。

实用新型内容

基于背景技术存在的技术问题，本实用新型提出了一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器。

本实用新型提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，所述第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接。

优选地，所述第一放大电路包括两个反相器和两个CMOS晶体管，两个反相器级联，构成第一反相器组，两个CMOS晶体管层叠相连，构成第一CMOS晶体管组，第一反相器组与第一CMOS晶体管组连接，第一反相器组用于驱动第一CMOS晶体管组。

优选地，所述第二放大电路包括三个反相器和三个CMOS晶体管，三个反相器级联，构成第二反相器组，三个CMOS晶体管层叠相连，构成第二CMOS晶体管组，第二反相器组与第二CMOS晶体管组连接，第二反相器组用于驱动第二CMOS晶体管组。

优选地，所述第三放大电路包括四个反相器和四个CMOS晶体管，四个反相器级联，构成第三反相器组，四个CMOS晶体管层叠相连，构成第三CMOS晶体管组，第三反相器组与第三CMOS晶体管组连接，第三反相器组用于驱动第三CMOS晶体管组。

优选地，每个反相器的输入端与输出端之间连接有偏压电阻。

优选地，每个CMOS晶体管的衬底与源极之间连接有偏压电阻。

优选地，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路均连接有控制芯片，且控制芯片为型号为AT89C51的单片机。

本实用新型中，所述一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路的闭合与断开能够自由组合第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路，从而对输入电路和输出电路之间接入的放大系数进行调整，本实用新型能够根据需要进行放大系数的调整，使用范围广，结构简单，使用方便，成本低。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的工作原理框图；

图2为本实用新型提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第一放大电路的电路原理示意图；

图3为本实用新型提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第二放大电路的电路原理示意图；

图4为本实用新型提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第三放大电路的电路原理示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型作进一步解说。

实施例