[实用新型]一种抗硫化厚膜晶片电阻

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶片电阻，尤其是涉及一种抗硫化厚膜晶片电阻。

背景技术

目前的晶片电阻组件是以银作为电阻两端的电极，在印刷银电极后，为了保护银电极，还需要在其外侧电镀一层保护层，通常来说这一保护层为镍、锡层，从而形成一个完整的电阻组件。但是，在有硫存在的环境下，譬如温泉、山区等地方，由于硫的大量存在，镍、锡电镀层对于银层不能很好的起到保护作用，使得银与硫接触生成硫化银，发生电阻断路等问题，严重影响了产品的性能，造成其准确性和稳定性的降低，或者在电阻的制造工序中产生作为故障等起因的保护膜的位置偏移等，会导致内部电极露出，银在空气中含硫气体的作用下发生硫化，有时导致电极开路。尤其是在产生火山气体的温泉地区等的空气中含硫气体浓度高的地区，易发生由银的硫化所引起的电极短路等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种抗硫化厚膜晶片电阻，使产品具备优异的抗硫化性能，其抗硫化测试标准为:硫化氢1000ppm,温度25℃,湿度90%RH,时间720小时，同时电阻电气特性完好，电阻无硫化及开路现象。且较低的制作成本，会给这一抗硫化晶片电阻带来更多的及更广泛的应用。

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：

一种抗硫化厚膜晶片电阻，其特征在于：包括氧化铝陶瓷本体01，所述氧化铝陶瓷本体01下表面的两侧分别印刷背面电极02，上表面的两侧分别印刷正面电极03，且在两个正面电极03之间的氧化铝陶瓷本体01上面印刷电阻阻体04，所述电阻阻体04的上表面设置有第一保护层05，所述电阻阻体04上设置有镭切线06，所述正面电极03上表面设置有抗硫化层07，抗硫化层07用于保护正面电极03。所述第一保护层05的上表面设置有第二保护层08，所述第二保护层08的上表面设置有字码层09，所述氧化铝陶瓷本体01的两端头侧面设置有侧面电极10，侧面电极10使得正面电极03与背面电极02导通，且所述背面电极02、正面电极03和侧面电极10上镀有镍层11，所述镍层11的外表面镀有锡层12。

所述的抗硫化层07与电阻阻体的两端连接，抗硫化层位于正面电极上表面。

所述正面电极03为银钯电极。所述抗硫化层08为真空溅镀的镍铬合金。所述镍层12的厚度为4~15μm。所述锡层13的厚度为5~15μm。所述电阻阻体的印刷面积为：0402规格0.20mm²，0603规格0.47mm²，0805规格1.26mm²，1206规格2.20mm²。

前述的一种抗硫化厚膜晶片电阻，所述电阻的抗硫化能力强，抗硫化测试标准为：硫化氢1000ppm,温度25℃,湿度90%RH,时间720小时，同时电阻电气特性完好，电阻无硫化及开路现象。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果为：通过设置抗硫化层，能够使产品具有优异的抗硫化性能，且较低的制作成本，给这一抗硫化晶片电阻带来更广泛的应用。

附图说明

图1是本实用新型的一种抗硫化厚膜晶片电阻的纵剖视图。

图2是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序1纵剖视图。

图3是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序2纵剖视图。

图4是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序3纵剖视图。

图5是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序4纵剖视图。

图6是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序5纵剖视图。

图7是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序6纵剖视图。

图8是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序7纵剖视图。

图9是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序8纵剖视图。

图10是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序9纵剖视图。

图11是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序10纵剖视图。

图12是表示制造抗硫化厚膜晶片电阻的工序11纵剖视图。

结合附图，作以下说明：

01-陶瓷本体02-背面电极 03-正面电极04-电阻阻体

05-第一保护层06-镭切线 07-抗硫化层08-第二保护层

09-字码层10-侧面电极 10-镍层12-锡层。

具体实施方式

下面将结合说明书附图，对本实用新型作进一步的说明。