[实用新型]提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置

权利要求书

1.提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。

2.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温风干机构包括与恒温槽内的传输滚轮同一平面的传输辊，所述传输辊上方设置有恒温风刀。

3.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述传输滚轮设置有上、下层传输滚轮，待刻蚀硅片设置于所述上、下层传输滚轮之间，所述上、下层传输滚轮转动，带动待刻蚀硅片进行传输。

4.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温槽下方设置有溶液槽，所述恒温槽与所述溶液槽通过水泵循环连接，所述溶液槽内设置有恒温控制机构，所述恒温槽与所述溶液槽内均设置有与所述恒温控制机构电性连接的温度传感器。

5.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温水的温度为8-10℃，所述恒温水为去离子水。

6.如权利要求3所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述传输滚轮上设置有分隔带，同一传输滚轮上的相邻分隔带之间的距离与待刻蚀硅片的宽度相当。

7.如权利要求2所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述装置还包括有用于驱动所述滚轮转动的驱动电机。

8.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述装置的出料端与刻蚀装置的进料端封闭连接。