[实用新型]3G射频功率放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种射频功率放大器，尤其是一种3G射频功率放大器，具体地说是3G WCDMA、CDMA单频段的功率放大器电路，属于射频功率放大器的技术领域。

背景技术

现有的3G WCDMA和CDMA单频段3cm*3cm功率放大器模块的典型设计：一颗砷化镓芯片提供功率放大器所需要的射频功率；一颗CMOS芯片提供给砷化镓芯片稳定的工作电压值，以保证砷化镓晶体管的工作状态不受外界电压源波动的影响；封装厂把砷化镓芯片、CMOS芯片、SMD电容电感贴在基板上，然后通过打金线或者铜线的方式把他们连接在一起，最后通过塑封料把他们封装在一个组件(module)上做成最后的成品。

一般地，上述典型设计中，需要用到0201或者01005的SMD电容电感。SMD电容电感的作用是射频匹配、电容滤波和射频隔直：射频匹配包括输入匹配、级间匹配和输出匹配；电容滤波主要是对电源上的低频进行滤波以保证射频功率放大器工作在稳定的状态下；射频隔直电容保证射频信号能够通过该通路而直流不能通过。通常射频功率放大器中所用到的SMD电容电感是日本的murata生产，如遇到像日本地震和海啸等自然灾害会影响SMD的供应从而导致整个射频功率放大器模块的缺货；另外也经常会遇到封装厂产能紧张而导致整个射频功率放大器模块的缺货。

因此，如何有效提高封装产能，以及降低成本，是现有功率放大器封装设计急需解决的问题。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种3G射频功率放大器，其结构紧凑，能有效提高封装产能，降低封装成本，适应性好，安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案，所述3G射频功率放大器模块，包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；

第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；

第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；

所述输入匹配电路包括与射频放大管T1基极端连接的电阻R1，电阻R1的另一端与芯片电容C1的一端连接，芯片电容C1的另一端通过基板绕线电感L1接地；

级间匹配电路包括芯片电容C4、基板绕线电感L2、芯片电容C3以及基板绕线电感RFC1，芯片电容C4的一端与射频放大管T2的基极端连接，芯片电容C4的另一端与基板绕线电感L2的一端以及芯片电容C3的一端连接，基板绕线电感L2的另一端接地，芯片电容C3的另一端与射频放大管T1的集电极端以及基板绕线电感RFC1的一端连接，基板绕线电感RFC1的另一端与电源VCC2连接；

输出匹配电路包括芯片电容C5、基板绕线电感RFC2以及基板绕线电感L3，芯片电容C5的一端与射频放大管T2的集电极端以及基板绕线电感RFC2的一端连接，基板绕线电感RFC2的另一端与电源VCC2连接，芯片电容C5的另一端与基板绕线电感L3的一端连接，基板绕线电感L3的另一端接地，芯片电容C5与基板绕线电感L3相连的一端形成放大输出端OUT。

所述放大管T1偏置电路包括偏置放大管T3、偏置放大管T4以及偏置放大管T5，偏置放大管T3的发射极与电阻R1的另一端、电容C1的一端连接以及电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端与射频放大管T1的集电极连接；

偏置放大管T3的集电极端与电压Vreg连接，偏置放大管T3的基极端与电容C6的一端、偏置放大管T5的集电极端、偏置放大管T5的基极端以及电阻R2的一端连接，电容C6的另一端与偏置放大管T4的发射极端连接后接地，偏置放大管T4的基极端与偏置放大管T4的集电极端以及偏置放大管T5的发射极端连接，电阻R2的另一端与电压Vreg连接。

所述放大管T2偏置电路包括偏置放大管T6、偏置放大管T7以及偏置放大管T8，偏置放大管T6的发射极端与射频放大管T2的基极端连接，偏置放大管T6的基极端与电容C7的一端、偏置放大管T8的基极端、偏置放大管T8的集电极端以及电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端以及偏置放大管T6的集电极段均与电压Vreg连接，

电容C7的另一端与偏置放大管T7的发射极端连接后接地，偏置放大管T7的基极端与偏置放大管T7的集电极端以及偏置放大管T8的发射极端连接。