[实用新型]基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件

权利要求书

1.一种基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器，其特征在于：

所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构；所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠，所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片之间还包括键合层；所述压电薄膜换能器堆叠结构和绝缘体硅基片共同形成封闭空腔结构。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极的引出部分位于同一平面上。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述顶电极、所述底电极包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者组合。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述压电材料包括氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、铌酸锂(LiNbO₃)、钽酸锂(LiTaO₃)之一或者组合。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述空腔的宽度大于所述压电薄膜换能器堆叠结构的水平宽度。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述键合层包括金属层。

7.一种通信器件，包括权利要求1-5任一项所述的薄膜体声波谐振器。