[实用新型]阵列基板及显示面板和显示装置有效
申请号: | 201621467176.9 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN206672936U | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 刘志鹏;蔡辉 | 申请(专利权)人: | 长春海谱润斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130000 吉林省长春市高新北*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及有机电致发光显示领域,尤其涉及一种阵列基板及显示面板和显示装置。
背景技术
显示装置是一种显示图像的装置。近年来,OLED(Organic Light Emitting Diode)显示器逐渐进入到消费品显示装置市场中,被人们所认知。OLED显示器具有自发光特性。因为OLED显示器不需要独立的光源,所以其可具有相对液晶显示器较小的厚度和重量。此外,OLED显示器还具有色彩丰富、电压需求低且省电效率高等特性。
通常地,OLED显示器包括多个像素,用于发射不同颜色的光。多个像素发射光以显示图像,TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)来驱动每个像素。另外,绝缘层(如像素限定层)可限定每个像素的区域和形状。进一步,每个像素可定位在其相邻的像素之间。
随着高分辨率显示装置的应用越来越广泛,对显示装置的分辨率的要求也越来越高。目前,通常通过减小像素的尺寸并减小像素间的间距来达到提高显示装置分辨率的目的,但是随着工艺技术的不断细化,会导致显示装置的工艺难度和制造成本的增加。
OLED显示技术由于自身的低功耗,大视角,可柔性等优点已经得到了广泛发展,极具前景。学者们通过对OLED器件的光学结构进行调节,可以达到增强光取出效率的目的。如将出光表面进行褶皱化,或者在阴极外侧制备内含纳米微粒的散射层等。然而这类的光取出结构均具有一定的固有缺陷,由于表面形貌调整了光线的传输方向,会使原本垂直射出器件的光分散向四面八方射出,这样在像素边缘处的不同方向杂散光增多,会使像素边缘看不到明确的像素界限,变得模糊不清,我们称之为光晕。在显示某些特定图形时,光晕会导致显示效果变差,图案边缘发生模糊。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提出一种阵列基板及显示面板和显示装置。
本实用新型提供一种阵列基板,用于有机电致发光显示,所述阵列基板包括阳极层,有机电致发光单元,阴极层,光取出层,其中,所述阵列基板还包括黑矩阵层。
本实用新型还提供一种显示面板,包括上述阵列基板。
本实用新型还提供一种显示装置,包括上述阵列基板。
本实用新型提供的阵列基板及显示面板和显示装置,有效的改善显示器件在像素边缘区域杂散光分布严重的问题,在宏观上缓解像素边缘模糊,出现光晕现象,增加显示的清晰度。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例提供的一种阵列基板示意图;
图2为本实用新型第二实施例提供的一种阵列基板示意图;
图3为本实用新型第二实施例提供的一种显示面板示意图。
具体实施方式
尽管下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应当理解为本领域技术人员可以在此描述的基础上进行修改,而仍然可以实现本实用新型的有利效果。因此,下列的描述应当被理解为对本领域技术人员的思路的扩展,而并不作为对本实用新型的限制。
为了清楚的描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下列说明使本实用新型的要点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用以方便、清晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
第一实施例
本实施例提供一种阵列基板,用于有机电致发光显示,具体的,如图1所示,图1为本实用新型第一实施例提供的一种阵列基板示意图,阵列基板包括:阳极层102,有机电致发光单元103,阴极层104,光取出层105,其中,阵列基板还包括黑矩阵层106。沿出光方向,依次为阴极层104、有机电致发光单元103、阳极层102、光取出层105和黑矩阵层106,黑矩阵层106为不透明材料,包括金属、高分子等,具有防光晕功能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的