[实用新型]一种电流源

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路技术领域，特别是涉及一种电流源。

背景技术

图1是传统电流源的电路结构，其中，P1’和P2’是P增强型场效应晶体管，N1’和N2’是N增强型场效应晶体管，V’是电源。

传统电流源存在以下缺陷：流过电阻R’的电流I’＝Vt’*lnm’/R’，热电压Vt’＝KT’/q’，m’是N2’和N1’的宽长比之比。从电流I’的计算公式中可以看出，电流I’随温度升高而增大，即传统电流源的输出端电流随温度升高而增大。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型实施例的目的在于提供一种电流源，以解决或至少部分解决传统电流源的输出端电流随温度升高而增大的问题。

为了解决上述问题，本实用新型实施例公开了一种电流源，包括：负温度系数的第一电流源产生电路、正温度系数的第二电流源产生电路和镜像输出电路，其中，所述第一电流源产生电路的电源端与电源相连，所述第一电流源产生电路的输出端与所述镜像输出电路的第一输入端相连；所述第二电流源产生电路的电源端与所述电源相连，所述第二电流源产生电路的输出端与所述镜像输出电路的第二输入端相连；所述镜像输出电路的电源端与所述电源相连，所述镜像输出电路的输出端作为所述电流源的输出端。

可选地，所述第一电流源产生电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源端与所述电源相连；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端与所述电源相连，所述第二PMOS管的栅端分别与所述第一PMOS管的栅端和所述第二PMOS管的漏端相连；第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅端与所述第一PMOS管的漏端相连，所述第一NMOS管的漏端与所述第二PMOS管的漏端相连，所述第一NMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端作为所述第一电流源产生电路的输出端；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏端分别与所述第一PMOS管的漏端和所述第一NMOS管的栅端相连，所述第二NMOS管的栅端与所述第一NMOS管的源端相连，所述第二NMOS管的源端接地；第一电阻模块，所述第一电阻模块的一端分别与所述第二NMOS管的栅端和所述第一NMOS管的源端相连；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏端分别与所述第一电阻模块的另一端和所述第三NMOS管的栅端相连，所述第三NMOS管的源端接地。

可选地，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管为增强型PMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管为增强型NMOS管，所述第三NMOS管为耗尽型NMOS管。

可选地，所述镜像输出电路包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端与所述电源相连，所述第三PMOS管的栅端与所述第二电流源产生电路的输出端相连；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源端与所述电源相连，所述第四PMOS管的栅端与所述第一电流源产生电路的输出端相连，所述第四PMOS管的漏端与所述第三PMOS管的漏端相连，所述第四PMOS管的漏端和所述第三PMOS管的漏端作为所述镜像输出电路的输出端。

可选地，所述第二电流源产生电路包括：第五PMOS管，所述第五PMOS管的源端与所述电源相连；第六PMOS管，所述第六PMOS管的源端与所述电源相连，所述第六PMOS管的栅端分别与所述第五PMOS管的栅端和所述第六PMOS管的漏端相连；第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏端分别与所述第五PMOS管的漏端和所述第四NMOS管的栅端相连，所述第四NMOS管的源端接地；第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏端与所述第六PMOS管的漏端相连，所述第五NMOS管的栅端与所述第四NMOS管的栅端相连，所述第五NMOS管的漏端和所述第六PMOS管的漏端作为所述第二电流源产生电路的输出端；第二电阻模块，所述第二电阻模块的一端与所述第五NMOS管的源端相连，所述第二电阻模块的另一端接地。

可选地，所述第五PMOS管和所述第六PMOS管为增强型PMOS管，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管为增强型NMOS管。

可选地，所述第二电流源产生电路还包括：第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏端与所述第六PMOS管的漏端相连，所述第六NMOS管的栅端与所述第四NMOS管的栅端相连，所述第六NMOS管的源端与所述第五NMOS管的漏端相连。

可选地，所述第六NMOS管为耗尽型NMOS管。