[实用新型]可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔有效
| 申请号： | 201621472071.2 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206574697U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 曾石发 | 申请（专利权）人： | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有效 避免 吸笔印 现象 硅片 | ||
【权利要求书】：
1.可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，包括吸盘（1）和具有连通其外部与内部泄压孔的气体通道管（2），其特征在于：还包括一可拆卸地吸笔贴膜面板（3），所述吸笔贴膜面板（3）为层状结构，所述吸笔贴膜面板的底层与硅片吸笔的笔头接触，表层与硅片接触。
2.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：
所述吸笔贴膜面板上设有一用于防止吸笔贴膜面板移位的通气吸孔（4）。
3.根据权利要求2所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：
所述通气吸孔（4）为椭圆形。
4.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：
所述吸笔贴膜面板的底层（5）为BOPET材料，所述吸笔贴膜面板的表层（6）为PE材料。
5.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：
所述底层（5）材料的厚度范围为0.5-1mm。
6.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：所述表层（6）材料的厚度范围为0.1-0.2mm。
7.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：所述吸笔贴膜面板的外轮廓与硅片吸笔笔头的外轮廓相匹配。
8.根据权利要求1所述的可有效避免吸笔印现象的硅片吸笔，其特征在于：所述吸笔贴膜面板的厚度为0.13~0.18mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
