[实用新型]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201621474739.7 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN206584932U | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 李娥玲;梁基燮;沈多惠 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,谭天 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板,所述基板包含沿水平方向布置的至少三个像素区;
在所述基板上的每个像素区中的第一电极;
围绕每个像素区的堤部;以及
电源线,所述电源线沿水平方向布置在所述基板上的每个像素区的下侧并且向每个像素区提供驱动电压。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述堤部在所述至少三个像素区之间的每个或不同边界部处具有相同的宽度。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述驱动电压从所述电源线的两端提供。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
在所述基板上的沿水平方向的栅极线;以及
与所述栅极线交叉的数据线,
其中所述电源线和所述栅极线形成在相同的层处并且由相同材料形成。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括与所述第一电极间隔开并且与所述电源线电连接的辅助电极。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
在所述基板上的沿水平方向的栅极线,以及所述栅极线形成在与所述电源线相同的层处,
与所述栅极线交叉的数据线;
在所述栅极线和所述电源线上的栅极绝缘层;以及
在所述栅极绝缘层上的平坦化层,
其中所述数据线在所述栅极绝缘层与所述平坦化层之间,并且所述第一电极在所述平坦化层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置,其中所述栅极绝缘层和所述平坦化层包括露出所述电源线的一部分的接触孔,以及所述电源线通过所述接触孔连接至所述辅助电极。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括在所述第一电极上的有机发光层。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置,其中所述有机发光层使用溶液工艺层叠。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的有机发光二极管显示装置,其中所述堤部的至少一部分包括至少第一部分和从所述第一部分的下部的两侧延伸的第二部分,所述第二部分具有比所述第一部分小的厚度,以使有机发光层在其上延伸。
11.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板,所述基板包含彼此交叉的多条栅极线和多条数据线,以及在所述栅极线与所述数据线的交叉部分处沿水平方向布置的至少三个像素区;
在所述基板上的每个像素区中的第一电极;
围绕每个像素区的堤部;以及
与所述栅极线平行并且向每个像素区提供驱动电压的电源线。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,其中所述堤部在所述至少三个像素区之间的每个或不同边界部处具有相同的宽度。
13.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,其中所述驱动电压从所述电源线的两端提供。
14.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,其中所述电源线和所述栅极线形成在相同的层处并且由相同材料形成。
15.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,还包括与所述第一电极间隔开并且与所述电源线电连接的辅助电极。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
在所述栅极线和所述电源线上的栅极绝缘层;以及
在所述栅极绝缘层上的平坦化层,
其中所述数据线在所述栅极绝缘层与所述平坦化层之间,以及所述第一电极在所述平坦化层上。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管显示装置,其中所述栅极绝缘层和所述平坦化层包括露出所述电源线的一部分的接触孔,以及所述电源线通过所述接触孔连接至所述辅助电极。
18.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示装置,还包括在所述第一电极上的有机发光层。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示装置,其中所述有机发光层使用溶液工艺层叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的