[实用新型]一种半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征是：包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；所述n型第一波导层的平面尺寸大于n型第二波导层的平面尺寸；所述n型衬底、n型第一下光学限制层和n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层下端面的平面尺寸与n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层上端面的平面尺寸与n型第二下波导层的平面尺寸相同。

2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：激光器的后腔面上镀有高反射膜。

3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：所述激光器的前腔面上镀有抗反射膜。

4.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征是：从n型第二波导层到p型接触层的区间靠近出光区的区域刻蚀成布拉格光栅。