[实用新型]改善型磁隔离IGBT驱动电路

权利要求书

1.一种改善型磁隔离IGBT驱动电路，其特征是：包括隔离驱动变压器、原边驱动电路、副边驱动电路和副边驱动轨电路；

所述原边驱动电路包括驱动发生模块、驱动放大模块、原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1；所述隔离驱动变压器包括原边绕组N1、第一副边绕组N2和第二副边绕组N3；所述副边驱动电路包括副边自举电容C6、副边自举二极管D2、副边推挽驱动电阻R3和推挽电路；所述副边驱动轨电路包括副边整流二极管D1、副边稳压二极管ZD1、稳压电阻R2、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4和滤波电容C5；

所述原边隔直电容C1和原边阻尼电阻R1串联，并与隔离驱动变压器原边绕组N1串联；

所述第一副边绕组N2的一端连接副边整流二极管D1的正极，副边整流二极管D1的负极分别连接副边稳压二极管ZD1的阴极、滤波电容C2的一端、滤波电容C4的一端和推挽电路；所述第一副边绕组N2的另一端分别连接稳压电阻R2的一端、滤波电容C3的一端、滤波电容C5的一端和推挽电路；所述副边稳压二极管ZD1的阳极分别连接稳压电阻R2的另一端、滤波电容C2的另一端、滤波电容C3的另一端、滤波电容C4的另一端、滤波电容C5的另一端、以及IGBT器件的发射极；

所述第二副边绕组N3的一端连接副边自举电容C6的一端，副边自举电容C6的另一端分别连接副边自举二极管D2的负极和副边推挽驱动电阻R3的一端，副边推挽电阻R3的另一端连接推挽电路；所述第二副边绕组N3的另一端分别连接副边自举二极管D2的正极和推挽电路；

所述推挽电路包括功率管Q1和功率管Q2，功率管Q1与功率管Q2直接串联，串联的中点与IGBT器件的G极相连。

2.如权利要求1所述的改善型磁隔离IGBT驱动电路，其特征是：所述功率管Q1的D极与副边驱动轨电路中的稳压管ZD1的阴极相连，功率管Q2的S极与副边驱动地以及滤波电容C3、滤波电容C5和稳压电阻R2相连。