[实用新型]离子迁移管有效

专利信息
申请号: 201621476775.7 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN206349332U 公开(公告)日: 2017-07-21
发明(设计)人: 张清军;李元景;赵自然;朱伟平;何会绍;李祥华;马秋峰 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司;清华大学
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 胡良均
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 离子 迁移
【权利要求书】:

1.一种离子迁移管,包括内部空间以及位于内部空间的可打开和关闭的离子门;内部空间包括具有电位绝对值V1的电离区和与电离区通过离子门分隔开的迁移区,物质由电离区一端进入离子迁移管,在电离区被离化,之后被电场驱使进入迁移区;

其中,电离区和迁移区之间设置的离子门包括具有电位绝对值V2的第一离子门栅和具有电位绝对值V3的第二离子门栅,第一离子门栅和第二离子门栅相互平行、通过绝缘片间隔开且将离子迁移管划分为所述电离区和迁移区;迁移区至少包括具有电位绝对值V4的第一迁移区电极和具有电位绝对值V5的第二迁移区电极,第二迁移区电极比第一迁移区电极远离第二离子门栅;

其中,在所述离子门被打开时,在第一离子门栅和第一迁移区电极之间形成被离化的离子的势阱以便对进入迁移区的离子群压缩。

2.如权利要求1所述的离子迁移管,其中,在所述离子门被打开时,第一离子门栅的电位绝对值V2大于第一迁移区电极的电位绝对值V4,第一迁移区电极的电位绝对值V4大于第二离子门栅的电位绝对值V3,第二离子门栅的电位绝对值V3大于或等于第二迁移区电极的电位绝对值V5。

3.如权利要求2所述的离子迁移管,其中,在所述离子门被打开时,保持第一离子门栅的电位绝对值V2和电离区的电位绝对值V1不变,对第二离子门栅施加反向的脉冲电位,使得第二离子门栅电位绝对值V2减小一个脉冲电位绝对值。

4.如权利要求2所述的离子迁移管,其中,在所述离子门被打开时,迁移区的包括第一迁移区电极和第二迁移区电极的电极的电位绝对值保持与所述离子门关闭情况下相同。

5.如权利要求1所述的离子迁移管,其中,在所述离子门保持关闭的情况下,离子迁移管设置为使得电离区的电位绝对值V1大于或等于第二离子门栅的电位绝对值V3,第二离子门栅的电位绝对值V3大于第一离子门栅的电位绝对值V2,第一离子门栅的电位绝对值V2大于第一迁移区电极的电位绝对值V4,第一迁移区电极的电位绝对值V4大于第二迁移区电极的电位绝对值V5。

6.如权利要求5所述的离子迁移管,其中,在所述离子门保持关闭的情况下,第二离子门栅的电位绝对值V3比第一离子门栅的电位绝对值V2高7~30伏特,并且第二离子门栅的电位绝对值V3与电离区的电位绝对值V1的差值不高于50伏特。

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