[实用新型]一种电容快速放电电路有效

专利信息
申请号: 201621477681.1 申请日: 2016-12-30
公开(公告)号: CN206294070U 公开(公告)日: 2017-06-30
发明(设计)人: 陈道波;舒位林 申请(专利权)人: 惠州市安规电子有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 广州三环专利代理有限公司44202 代理人: 章兰芳
地址: 516259 广东省惠州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 快速 放电 电路
【权利要求书】:

1.一种电容快速放电电路,设有供电电路、LED和与所述LED并联的第一电容,所述LED与第一电容均正向连接于供电电路的电压输出正极端与地之间,其特征在于,还设有并联于所述电压输出正极端和电压输出负极端的电容放电调节电路。

2.如权利要求1所述的一种电容快速放电电路,其特征在于:所述电容放电调节电路设有MOS管、第一二极管、第二二极管、第二电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻;所述MOS管为P沟MOS管或N沟MOS管;

当所述MOS管为P沟MOS管时,所述第一二极管的正极端和第二二极管的正极端连接所述供电电路的电压输出正极端,所述第一二极管的负极端连接所述第一电容正极端,所述第二二极管的负极端连接所述第一电阻和第二电容的一端,所述第一电阻的另一端连接所述P沟MOS管的栅极,所述第二电容的另一端接地,所述P沟MOS管的源极连接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接所述第一二极管的负极端,所述P沟MOS管的漏极接地,所述第三电阻连接在所述P沟MOS管的栅极与地之间;

当所述MOS管为N沟MOS管时,所述第一二极管的负极端和第二二极管的负极端连接所述供电电路的电压输出负极端,所述第一二极管的正极端接地,所述第二二极管的正极端连接所述第一电阻和第二电容的一端,所述第一电阻的另一端连接所述N沟MOS管的栅极,所述第二电容的另一端连接所述供电电路的电压输出正极端,所述P沟MOS管的漏极连接所述第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接所述供电电路的电压输出正极端,所述P沟MOS管的源极接地,所述第三电阻一端连接所述P沟MOS管的栅极,另一端连接所述供电电路的电压输出正极端。

3.如权利要求2所述的一种电容快速放电电路,其特征在于:所述第一电容、第二电阻、MOS管构成放电回路。

4.如权利要求1所述的一种电容快速放电电路,其特征在于:所述供电电路设有变压器,变压器的变换电压输出正极端和变换电压输出负极端即为供电电路的电压输出正极端和电压输出负极端。

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