[实用新型]一种新型多晶硅片清洗机有效
| 申请号： | 201621479685.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206349341U | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;孔群;杨玉生;姜春潮 | 申请（专利权）人： | 常州好时新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人： | 倪青华 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 多晶 硅片 清洗 | ||
1.一种新型多晶硅片清洗机，包括外壳（1）、超声波刻蚀槽（11）、超声波碱洗槽（13）和超声波酸洗槽（15），其特征在于：所述外壳（1）外壁开设有返洗口（18），且返洗口（18）下端设置有加液板（19），所述外壳（1）右侧固定有PLC控制器（20），所述外壳（1）内部固定有导轨（4），且导轨（4）与滑块（2）滑动连接，所述滑块（2）下端连接有伸缩杆（5），且伸缩杆（5）另一端固定有机械爪（7），所述机械爪（7）通过提手（6）与清洗篮（9）固定，且清洗篮（9）左右两侧分别开设有进料口（8）和出料口（16），所述清洗篮（9）下端设置有换位板（14），所述换位板（14）通过滑轨（17）与外壳（1）滑动连接，且滑轨（17）固定于外壳（1）内壁，所述超声波刻蚀槽（11）、超声波碱洗槽（13）和超声波酸洗槽（15）固定于外壳（1）底部，且超声波刻蚀槽（11）、超声波碱洗槽（13）和超声波酸洗槽（15）右侧均固定有漂洗槽（12），所述漂洗槽（12）上方均安装有吹风口（3）。
2.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述进料口（8）和出料口（16）下方开设有排气口（10）。
3.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述清洗篮（9）设置有三个，且清洗篮（9）小于清洗槽。
4.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述超声波刻蚀槽（11）、漂洗槽（12）、超声波碱洗槽（13）和超声波酸洗槽（15）内均规定有液位计。
5.根据权利要求1所述的一种新型多晶硅片清洗机，其特征在于：所述加液板（19）通过销轴与外壳（1）转动连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
