[实用新型]一种温度自补偿半导体压阻应变计有效
| 申请号： | 201621483810.8 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206523262U | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 邱华诚;李绪国;皮兴才;闵夫;冯双;郭海潮 | 申请（专利权）人： | 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所 |
| 主分类号： | G01L19/04 | 分类号： | G01L19/04 |
| 代理公司： | 核工业专利中心11007 | 代理人： | 任超 |
| 地址： | 621000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度 补偿 半导体 应变 | ||
1.一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述应变计包括高阻n型硅基底，设置在基底上的四个电极及两条形状、尺寸相同的敏感栅A和敏感栅B，所述的敏感栅A和敏感栅B为将p型杂质定域离子注入或扩散到所述基底上形成的一层p型电阻层；两条敏感栅正交分离分布且每个敏感栅的两端分别与两个电极相连。
2.如权利要求1所述的一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述的敏感栅A和敏感栅B的形状为直条形。
3.如权利要求1所述的一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述的敏感栅A和敏感栅B的形状为瘦长弯折形。
4.如权利要求1所述的一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述的p型电阻层的厚度为1～3μm。
5.一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：包括高阻n型硅基底，在基底上设置的按正方形顺时针依次连接的电极A’、敏感栅A’、电极B’、敏感栅B’、电极C’、敏感栅C’、电极D’和敏感栅D’，并且四个电极和四个敏感整体形成闭合回路，所述的四个电极和四个敏感栅形状及尺寸均相同，所述的四个敏感栅均为将p型杂质定域离子注入或扩散到所述基底上形成的一层p型电阻层。
6.如权利要求5所述的一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述的四个敏感栅的形状均为直条形。
7.如权利要求5所述的一种温度自补偿的半导体压阻应变计，其特征在于：所述的p型电阻层的厚度为1～3μm。
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