[实用新型]一种激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底有效

专利信息
申请号: 201621485482.5 申请日: 2016-12-31
公开(公告)号: CN206322726U 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 邵慧慧;徐现刚;刘成成;于果蕾;李沛旭 申请(专利权)人: 山东华光光电子股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00;H01L21/268
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 王楠
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 刻蚀 错位 半球 odr 结合 蓝宝石 图形 衬底
【权利要求书】:

1.一种激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,衬底表面设有半球状突起,相邻两个半球状突起之间的衬底设有半球状凹槽,半球状突起表面设有反射镜层。

2.根据权利要求1所述的激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,所述的反射镜层的厚度为50nm-1μm。

3.根据权利要求1所述的激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,所述半球状突起的直径为1-5μm,相邻两个半球状突起的间距为1-5μm。

4.根据权利要求1所述的激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,所述的反射镜层为TiO2/SiO2、Au2O/SiO2或Ag2O/SiO2其中的一种。

5.根据权利要求2所述的激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,所述的反射镜层为TiO2/SiO2,为交替生长的SiO2层和TiO2层,交替重复周期为1-5个。

6.根据权利要求5所述的激光刻蚀错位半球与ODR结合的蓝宝石图形衬底,其特征在于,1个交替重复周期中,交替生长的SiO2层厚度为100nm,交替生长的TiO2层厚度为100nm。

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