[实用新型]一种窄垂直方向远场发散角的激光器

权利要求书

1.一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于，该激光器的外延结构包括InP衬底（1），在所述InP衬底（1）上由下向上依次沉积有缓冲层（2）、N型外限制层（3）、N型内限制层（4）、第一非掺杂的折射率渐变的波导层（5）、量子阱有源区(6)、第二非掺杂的折射率渐变的波导层(7)、P型内限制层(8)、P型外限制层(9)、腐蚀阻挡层(10)、P型包层(11)、P型势垒渐变层(12)、P型势垒激变层(13)、P形欧姆接触层(14),所述的量子阱有源区（6）为应变量子阱结构；所述的N型内限制层（4）为张应变结构层，所述N型内限制层（4）采用AlInAs材料。

2.根据权利要求1所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述应变量子阱结构的阱层为压应变，所述的应变量子阱结构的垒层为张应变。

3.根据权利要求2所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述应变量子阱结构的阱层压应变为0.8%-1.2%,阱层的厚度为5-8nm。

4.根据权利要求2所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述应变量子阱结构的垒层张应变为0.4%-0.8%,垒层的厚度为10-15nm。

5.根据权利要求1所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述应变量子阱结构的量子阱对数为6-9对。

6.根据权利要求1所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述N型内限制层（4）的厚度为30-60nm。

7.根据权利要求1所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述N型外限制层（3）的厚度为2-4 um，所述N型外限制层（3）采用渐变掺杂，掺杂浓度从3E18cm^-3降低到1E18 cm^-3。

8.根据权利要求1所述的一种窄垂直方向远场发散角的激光器，其特征在于：所述N型内限制层（4）采用的AlInAs材料为Al_xIn_(1-x)As材料，其Al组分X的范围为0.44-0.478，其特征在于：所述N型内限制层（4）与InP衬底（1）的晶格不匹配，相对于InP衬底（1）有0.1-0.5%的张应变。