[实用新型]一种MOS器件HCI可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201621492931.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206348429U | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈文君;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 hci 可靠性 测试 结构 | ||
1.一种MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，包括第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件以及五个测试焊垫，其中，所述第一MOS器件的衬底和源极、所述第二MOS器件的衬底和源极以及所述第三MOS器件的衬底和源极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的栅极与所述第三MOS器件的栅极均连接同一测试焊垫，所述第二MOS器件的栅极与所述第三MOS器件的漏极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的漏极和所述第二MOS器件的漏极分别连接一测试焊垫。
2.根据权利要求1所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件以及所述第三MOS器件为N型MOS器件或P型MOS器件。
3.根据权利要求1所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述第一MOS器件在HCI可靠性测试中为开启状态模式。
4.根据权利要求1所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述第二MOS器件在HCI可靠性测试中为关闭状态模式。
5.根据权利要求1所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，五个所述测试焊垫连接三个或四个电压源。
6.根据权利要求5所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述电压源根据HCI可靠性测试的需要输出相应的电压值。
7.根据权利要求1所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述第一MOS器件、所述第二MOS器件、所述第三MOS器件与五个所述测试焊垫之间均通过金属线电连接。
8.根据权利要求1-7任一项所述的MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，所述HCI可靠性测试包括对MOS器件施加老化应力、源漏饱和电流参数测量以及阈值电压参数测量。
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