[实用新型]一种多晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201621494542.X | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN206432277U | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 陈伟;孔群;杨玉生;姜春潮 | 申请(专利权)人: | 常州好时新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人: | 倪青华 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及多晶硅设备技术领域,具体为一种多晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术
太阳能光伏发电市场正蓬勃发展,在过去10年间,太阳电池市场每年以 40% 的比例迅速增长,其中晶体硅太阳电池占据了太阳电池近90%的市场份额。晶体硅太阳电池组件中硅晶片的成本约占太阳电池总成本的50%,即使生产技术不断精进与发展,进一步大幅降低晶体硅太阳电池的制备成本也已经达到极限。因此,薄膜化或薄层化成为降低太阳电池成本的主要手段和发展趋势。薄膜太阳电池较晶体硅太阳电池,具有弱光性能优良、原材料消耗大幅降低和成本低等优势。并且还可在柔性衬底上制备,具有韧性好、可折叠、可卷曲以及可大面积生产等优点,未来可应用于衣服、汽车玻璃、飞机以及建筑物等表面。但是传统的薄膜太阳电池存在能量转换效率较低的问题,并且制备工艺复杂,薄膜厚度还有待进一步压缩,因此市场急需一种新型的多晶硅薄膜太阳能电池来满足人们的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多晶硅薄膜太阳能电池,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种多晶硅薄膜太阳能电池,包括电池主体,所述电池主体上左右两侧各设置有一个电极,且电极上设置有极耳,所述电池主体底部固定有多晶硅衬底,且多晶硅衬底上方设置有第一碳纳米管,所述第一碳纳米管上方包裹有减反膜,且减反膜上固定有多晶硅吸收层,所述电池主体中间层从下往上依次设置有发射层和接收层,所述电池主体顶部设置有TCO玻璃层和第二碳纳米管,且第二碳纳米管设在TCO玻璃层上方,所述电池主体侧面从上至下依次设置有P型多晶硅薄膜、掺杂层和N型多晶硅薄膜,且N型多晶硅薄膜下方设有绒面层。
优选的,所述多晶硅衬底呈双层立面结构,且多晶硅衬底之间通过胶粘粘结。
优选的,所述发射层是由铝合金材料构件压制而成。
优选的,所述第一碳纳米管和第二碳纳米管结构相同,且均有材料相同的碳纳米管制成。
优选的,所述掺杂层的顶部与底部分别与P型多晶硅薄膜和N型多晶硅薄膜相粘黏。
优选的,所述绒面层下方分别设置有钝化层和背电极。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:采用碳纳米管结构作为光电转换材料,可以饱和部分悬挂键,同时碳纳米管结构对太阳光具有很好的透光性,采用碳纳米管结构作为上电极,可以提高太阳能电池的光电转换效率;在晶硅薄膜的膜面使用钝化层,可以阻挡衬底材料向多晶硅薄膜扩散,钝化多晶硅薄膜表面的化学活性,减小载流子在薄膜表面的复合率,从而增加转换效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的侧视图。
图中:1-电池主体;2-第二碳纳米管;3-接收层;4-发射层;5-第一碳纳米管;6-极耳;7-电极;8-TCO玻璃层;9-多晶硅吸收层;10-减反膜;11-多晶硅衬底;12-N型多晶硅薄膜;13-绒面层;14-背电极;15-P型多晶硅薄膜;16-掺杂层;17-钝化层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2,本实用新型提供的一种实施例:一种多晶硅薄膜太阳能电池,包括电池主体1,电池主体1上左右两侧各设置有一个电极7,且电极7上设置有极耳6,电池主体1底部固定有多晶硅衬底11,且多晶硅衬底11上方设置有第一碳纳米管5,第一碳纳米管5上方包裹有减反膜10,且减反膜10上固定有多晶硅吸收层9,电池主体1中间层从下往上依次设置有发射层4和接收层3,电池主体1顶部设置有TCO玻璃层8和第二碳纳米管2,且第二碳纳米管2设在TCO玻璃层8上方,电池主体1侧面从上至下依次设置有P型多晶硅薄膜15、掺杂层16和N型多晶硅薄膜12,且N型多晶硅薄膜12下方设有绒面层13,多晶硅衬底11呈双层立面结构,且多晶硅衬底11之间通过胶粘粘结,发射层4是由铝合金材料构件压制而成,第一碳纳米管5和第二碳纳米管2结构相同,且均有材料相同的碳纳米管制成,掺杂层16的顶部与底部分别与P型多晶硅薄膜15和N型多晶硅薄膜12相粘黏,绒面层13下方分别设置有钝化层17和背电极14。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的