[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201680000991.0 | 申请日: | 2016-10-09 |
公开(公告)号: | CN108780805B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 赵德江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管显示面板,其具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述有机发光二极管显示面板包括:
衬底基板;
所述衬底基板上的第一电极层;
所述子像素区中位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧的发光层;
位于所述发光层的远离所述第一电极层的一侧的第二电极层;以及
所述子像素间区中与所述第二电极层位于同一层的辅助电极层,所述辅助电极层与所述第二电极层彼此接触;所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度;
所述辅助电极层的横截面实质上为倒梯形形状;所述倒梯形形状的短底边位于所述辅助电极层的靠近所述第一电极层的一侧;
所述有机发光二极管显示面板还包括:位于所述辅助电极层的远离所述衬底基板的一侧的像素限定层,所述辅助电极层与所述像素限定层直接接触,所述像素限定层位于所述子像素间区中,并将每个所述像素划分为子像素区和子像素间区。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层包括实质上在所述子像素区中的第一部分和实质上在所述子像素间区中的第二部分;所述第一部分通过所述第二部分与所述辅助电极层电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,包括:
所述子像素区中位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧的有机层,所述有机层包括所述发光层;以及
所述子像素间区中位于所述辅助电极层的靠近所述衬底基板的一侧的绝缘层;
其中所述有机层的厚度不大于所述绝缘层的厚度。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示面板,其中所述有机层还包括一个或多个有机功能层。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层是由透明金属材料制成的透明电极层。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示面板,其中所述辅助电极层是由非透明金属材料制成的非透明电极层。
7.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示面板,其中所述第二电极层的第一部分的厚度在5nm至20nm的范围内。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述辅助电极层的厚度在50nm至500nm的范围内。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其中所述有机发光二极管显示面板是顶发射型显示面板,所述第一电极层是阳极层,所述第二电极层是阴极层,所述辅助电极层是辅助阴极层。
10.一种显示装置,包括如权利要求1至9中任一项所述的有机发光二极管显示面板。
11.一种制造有机发光二极管显示面板的方法,所述有机发光二极管显示面板具有多个像素,每个像素包括子像素区和子像素间区,所述方法包括:
在衬底基板上形成第一电极层;
在所述子像素间区中与第二电极层相同的层中形成辅助电极层,所述辅助电极层与所述第二电极层彼此接触;所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极层的厚度;在所述子像素区中所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成发光层;以及
在所述发光层的远离所述第一电极层的一侧形成所述第二电极层;
所述辅助电极层形成为具有实质上为倒梯形形状的横截面;所述倒梯形形状的短底边位于所述辅助电极层的靠近所述第一电极层的一侧;
在所述辅助电极层的远离所述衬底基板的一侧形成像素限定层;所述像素限定层位于所述子像素间区中,并将每个所述像素划分为子像素区和子像素间区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的