[发明专利]控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性有效
| 申请号： | 201680001356.4 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106463324B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 | 申请（专利权）人： | 马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;李春晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 等离子体 处理 中的 蚀刻 工艺 方位角 均匀 | ||
【说明书】：
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