[发明专利]半导体激光装置在审
| 申请号： | 201680001398.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108028510A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金定洙 | 申请（专利权）人： | 光速株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S3/063 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光装置，包括在一个半导体激光二极管芯片独立运行的至少两个的激光导波管，其特征在于，包括：
多个光栅，具有相互不同的周期；及
至少两个激光导波管，形成在各个所述光栅上。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
为了抵消在所述至少两个激光导波管中参与通信的某一激光导波管在“开启”与“关闭”时发生的温度变化，在未参与通信的剩余激光导波管中的至少一个激光导波管中流动的电流经调制并注入。
3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其特征在于，
在参与通信的某一激光导波管流动相当于“关闭”的电流、相当于“1”信号的电流、相当于“0”信号的电流的三种阶段的电流时，在未参与通信的剩余激光导波管中至少一个激光导波管流动“低”与“高”的两种阶段的电流。
4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
由所述至少两个激光导波管中振荡的激光的光的波长具有0.5nm～2nm的波长差异。
5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述至少两个激光导波管为间隔10um～30um。
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