[发明专利]触控基板及其制造方法、显示面板和显示装置

说明书

本申请公开了一种触控基板，其包括：衬底基板(BS)；位于衬底基板(BS)上在触控基板的黑矩阵区(BA)中的黑矩阵层(BML)；以及位于黑矩阵层(BML)的远离衬底基板(BS)的一侧在触控基板的触控电极区(TEA)中的触控电极层(TEL)。触控电极区(TEA)与黑矩阵区(BA)部分重叠，从而形成重叠区(OA)。触控电极层(TEL)包括至少部分位于重叠区(OA)中的多个触控电极块(TE)。至少部分位于重叠区(OA)中的触控电极块(TE)通过第一间隙(G1)与相邻的触控电极块(TE)分隔开。位于第一间隙(G1)的靠近衬底基板(BS)的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层(BML)厚度相对于黑矩阵层(BML)的其余部分的厚度有所减小。

技术领域

本发明涉及触控基板、具有该触控基板的显示面板和显示装置、以及该触控基板的制造方法。

背景技术

近年来，触控装置已广泛应用于许多电子设备，例如，移动电话、计算机显示面板、触摸屏、卫星导航设备、数码相机等。触控装置的示例包括互电容触控设备和自电容触控设备。在互电容触控设备中，触控电极可以是触控扫描电极(Tx)，而触控感应电极(Rx)可以设置在彩膜基板上。在自电容触控设备中，触控电极可单独实现触控功能。

当用户的手指在触控面板上执行触控功能时，静电荷积聚在触控面板上。当静电荷传输至触控电极时，可能影响触控功能。

发明内容

一方面，本发明提供了一种触控基板，包括：衬底基板；位于衬底基板上在触控基板的黑矩阵区中的黑矩阵层；以及位于黑矩阵层的远离衬底基板的一侧在触控基板的触控电极区中的触控电极层；触控电极区与黑矩阵区部分重叠，从而形成重叠区；触控电极层包括至少部分位于重叠区中的多个触控电极块；其中，至少部分位于重叠区中的触控电极块通过第一间隙与相邻的触控电极块分隔开；并且位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的黑矩阵层的厚度相对于黑矩阵层的其余部分的厚度有所减小。

可选地，所述至少一部分中的黑矩阵层的厚度为零，并且黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的第二间隙。

可选地，黑矩阵层包括位于第一间隙的靠近衬底基板的一侧的区域的至少一部分中的凹槽。

可选地，黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。

可选地，黑矩阵层包括位于重叠区中的多个黑矩阵块；黑矩阵块通过第二间隙与相邻的黑矩阵块分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的触控电极块在衬底基板上的投影与对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。

可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的触控电极块的面积实质上等于或小于对应的黑矩阵块的面积。

可选地，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块通过第一间隙彼此分隔开；位于重叠区中的多个黑矩阵块通过第二间隙彼此分隔开；并且，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个在衬底基板上的投影与位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应的黑矩阵块在衬底基板上的投影实质上重叠。

可选地，第二间隙在衬底基板上的投影与第一间隙在衬底基板上的投影实质上重叠。

可选地，在触控基板的平面图中，至少部分位于重叠区中的多个触控电极块中的每一个的面积实质上等于或小于位于重叠区中的多个黑矩阵块中的对应黑矩阵块的面积。

可选地，触控基板还包括辅助黑矩阵层，其位于黑矩阵层的厚度有所减小的至少一部分的远离衬底基板的一侧。

可选地，第一间隙具有第一间隙距离，第二间隙具有第二间隙距离；第一间隙距离实质上等于或大于第二间隙距离。

可选地，第一间隙距离和第二间隙距离在约20μm至约40μm的范围内。